Транзисторный генератор

Cтраница 3

В транзисторных генераторах метрового и дециметрового диапазонов волн период усиливаемых колебаний становится соизмеримым с временем диффузии носителей заряда в области базы транзистора, за счет чего импульсы коллекторного тока деформируются, а коэффициент усиления уменьшается. Расчет энергетических параметров генератора при этом усложняется, поскольку входящая в соотношения для токов, напряжений и мощностей прямая проводимость транзистора У21 становится комплексной величиной. [31]

В транзисторном генераторе элементом, в котором могут происходить свободные колебания, является электрический контур; источником энергии для поддержания незатухающих колебаний может быть гальваническая батарея, аккумулятор или другой источник постоянного тока. [32]

Диодные н транзисторные генераторы применяются в качестве источников СВЧ-колебаний малой и ср. Вт в непрерывном режиме), они обладают рядом преимуществ перед эл. [33]

Ламповый или транзисторный генератор генерирует короткие периодические импульсы высокой частоты, которые подводят к ультразвуковому излучательному преобразователю ( кварцевая пластинка в соответствующем корпусе), приложенному к исследуемой детали. [34]

Транзисторный генератор синусоидальных колебаний. [35]

Практические схемы транзисторных генераторов очень разнообразны. На рис. 9.15 показана одна из этих схем. [36]

При расчете транзисторного генератора с внешним возбуждением по заданным выходной мощности и величине fa выбирают тип транзистора и проверяют пригодность его по величинам Рк, frp и предельно допустимым параметрам ( Квотах - эво max - 7к max) Для заданного угла отсечки коллекторного тока. Для расчета генераторов необходимо знать также значения Ск, г б Ск, / max. Следует учитывать, что чем выше частота генерируемых колебаний, тем меньше величина К-ур. [37]

При проектировании транзисторного генератора, предназначенного для ОМП силовых КЛ индукционным методом, возможны два направления. [38]

Основное назначение транзисторного генератора с внешним возбуждением состоит в усилении мощности высокочастотного сигнала. Однако помимо выполнения этой ф-ции в транзисторном усилителе могут возникнуть и дополнительные, собственные автоколебания, называемые паразитными. Следствием такого нежелательного для усилителя режима самовозбуждения являются: искажение полезной передаваемой информации; излучение передатчиком побочных составляющих, что отрицательно сказывается на проблеме электромагнитной совместимости аппаратуры; отказ транзистора при пробое р-п перехода. [39]

Термокомпенсация в транзисторных генераторах.| Кварцевый гене. [40]

Удовлетворительная работа транзисторных генераторов может быть получена только при использовании схем, компенсирующих изменения напряжения геометрического смещения и крутизны, происходящих вследствие изменений окружающей температуры или температурного режима транзистора. С увеличением температуры напряжение геометрического смещения уменьшается, поэтому при неизменных напряжениях в цепи базы транзистор можег выйти из строя. Получить необходимые изменения напряжения на базе, компенсирующие изменения геометрического смещения, можно, если снимать напряжение смещения, с потенциометра, одно из племен которого изменяет свое сопротивление с температурой. [41]

В схемах транзисторных генераторов, усилителей мощности, умножителях частоты допускается работа при любых значениях Ает. [42]

Условия самовозбуждения транзисторных генераторов, в отличие от ламповых, вызваны значительной инерционностью процессов в транзисторе, в результате которых усложняются фазовые отношения. [43]

В схемах транзисторных генераторов, усилителей мощности, умножителях частоты допускается работа при любых значениях KCT. [44]

Режим работы транзисторного генератора очень зависит от внешней температуры. Для уменьшения температурных воздействии применяют различные методы, вплоть до помещения генератора в термостат, где автоматлтески поддерживается постоянство температуры. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5