Cтраница 3
![]() |
Примеры ватт-амперных характеристик непрерывных полосковых гетеролазеров. [31] |
Генерация осуществляется на переходах с метастабильных уровней TR3 - ионов. Для возбуждения применяется оптическая накачка с помощью ксеноновых газоразрядных ламп. [32]
Генерация в активной области полупроводника спонтанная и характеризуется тем, что лучи направлены равновероятно во все стороны. Лучи 3, распространяющиеся в сторону эмиттера, быстро поглощаются. Активная область нередко слегка отличается значением показателя преломления от соседних областей. Поэтому лучи 4 вследствие многократных отражений фокусируются вдоль активной области, так что интенсивность торцевого излучения выше, чем в других направлениях выхода света из кристалла. [33]
Генерация будет происходить в первую очередь в тех плоских волнах, для к-рых необходимое число активных атомов минимально. [34]
Генерация на самоограниченных переходах может быть получена кроме нейтральных атомов также и на ионах некоторых веществ, например кальция, стронция и др., но при этом для образования ионов требуется дополнительная энергия и эффективную генерацию на переходах ионов осуществить сложнее. [35]
![]() |
Схема полупроводникового лазера с возбуждением электронным пучком. [36] |
Генерация возникает при стимулировании рекомбинации электронно-дырочных пар. [37]
![]() |
Изображения в электронном проекторе. [38] |
Генерация сколько-нибудь значительных количеств атомов Н и О в газ из первого слоя при обычных температурах катализа сомнительна. Это может быть решающим препятствием в тех случаях, когда цепь объемного продолжения процесса неразветвлена. При разветвленных цепях даже очень малые количества эмиттируемых атомов или радикалов, благодаря открытому Н. Н. Семеновым экспоненциальному закону развития таких цепных реакций могут приводить к большим скоростям реакции и к высоким концентрациям атомов и радикалов. При этом процесс делается независимым от начальной генерации активных частиц. [39]
Генерация рассмотренных выше элементов информационного проекта является одним из основных моментов в работе инструментального комплекса, поэтому рассмотрим этот процесс в динамике и более подробно. [40]
Генерация в активной среде начинается со спонтанного излучения, характеризуемого спектральной линией перехода. [41]
Генерация в ОКГ начинается со спонтанного излучения, которое не поляризовано, но в результате применения окон Брюстера создадутся благоприятные условия для прохождения излучения одной поляризации. [42]
Генерация - буквально создание, возникновение. [43]
![]() |
Структура лавинно-пролетного диода ( а, распределение напряженности электрического поля по структуре ( б и положение рабочей точки ( постоянного смещения на ВАХ ( в. [44] |
Генерация электромагнитных СВЧ-колебаний может возникать в диодах с различной структурой. В качестве примера рассмотрим процессы, происходящие в структуре р - п-п при обратном напряжении, имеющем постоянную и переменную составляющие. Когда суммарное напряжение превышает пробивное, начинается ударная ионизация - лавинный пробой. [45]