Генерация - когерентное излучение
Cтраница 1
Генерация когерентного излучения интенсивными потоками заряженных электронов / / Лекции по электронике СВЧ и радиофизике ( 3-я зимняя школа-семинар инженеров), Книга IV. [1]
Для усиления и генерации когерентного излучения в полупроводниковом кристалле необходимо создать состояние с инверсной населенностью уровней. Например, если инверсная населенность создается на переходе зона проводимости-валентная зона, то концентрация электронов в верхней энергетической зоне должна быть больше, чем в нижней, и тогда вынужденные переходы вниз преобладают над переходами вверх. [2]
Активное волокно может быть использовано как для генерации когерентного излучения, так и для усиления света. Волоконные лазеры перспективны для систем обработки информации и дальней оптической связи. Полимерные волокна могут быть использованы наряду со стеклянными. Достоинство полимерных волокон состоит, по-видимому, в возможности сравнительно легкого введения различных добавок необходимой структуры. [3]
ИНЖЕКЦИОННЫЙ ЛАЗЕР - полупроводниковый лазер, в к-ром генерация когерентного излучения осуществляется в результате инжекции электронов и дырок в область р-п-перехода или гетероперехода под действием электрич. Имеет высокий кпд ( до 50 %), широкий диапазон рабочих частот ( св. [4]
Основные р-цин, приводящие к формированию активной среды и генерации когерентного излучения, следующие. [5]
Из лазерных сред в последующем более детально рассматриваются твердотельные материалы для генерации когерентного излучения во всех трех эксплуатационных режимах: импульсном, квазинепрерывном и непрерывном. [6]
К первой группе относится гелий-неоновый лазер, схема которого приведена на рис. 3.6. Генерация когерентного излучения может проходить в видимой ( К 0 633 мкм) и в инфракрасной области ( А. Газоразрядная трубка / этого лазера заполняется гелием и неоном при парциальных давлениях соответственно 133 и 13 Па. В трубке от высоковольтного источника питания 2 создается электрический разряд 3, который возбуждает атомы гелия и неона в результате электронных ударов. Гелий-неоновый лазер имеет сравнительно небольшую мощность, но из-за простоты устройства, надежности и стабильности излучения он получил широкое распространение. [7]
 |
Принципиальная схема энергетич уровней рубипа Стрелками вверх указано поглощение энергии накачки ЙУ31, стрелками вниз - безызлучат переходы Двойная линия лазерный переход на частоте у2. [8] |
Переходы 35 - ЗР, 35 - 1Р или 25 - 1Р в N6 используются для генерации когерентного излучения на длинах волн 3 39, 0 63 или 1 15 мкм соответственно. [9]
В последние тридцать лет в связи с развитием исследований по когерентной и нелинейной оптике широкое применение для генерации когерентного излучения, для модуляции, умножения частоты, сканирования и прерывания интенсивности оптических пучков, а также в качестве оптических волноводов нашли различные оксидные сегнетоэлектрики. [10]
 |
Реакции в химических лазерах. [11] |
При смешении газов в объеме резонатора с дозвуковой или звуковой скоростью, используя поперечную или продольную прокачки, происходит генерация когерентного излучения. [12]
В 1965 впервые наблюдалась самофокусировка света, зарегистрированы поперечные нелинейные взаимодействия: в нелинейной среде дифракционная расходимость мощного светового пучка подавляется нелинейной рефракцией, обусловленной нелинейной добавкой к показателю преломления ( Аи гаа /, п2 - Х3) Ь В том же году запущен параметрический генератор света, в к-ром взаимодействие волн на квадратичной нелинейности используется для генерации когерентного излучения, плавно перестраиваемого по частоте в широком диапазоне. [13]
Аф между квазиуровнями Ферми для дырок и электронов превышало величину энергии кванта света, к-рый может генерироваться в данном ПИ ( напр. Если же условия генерации когерентного излучения не выполнены, то получается источник некогерентного неполяризованного спета, излучаемого в большом телесном угле. GaAs с площадью р - - перехода 0 25X0 25 мм -; диод помещен внутри коварового кожуха, снабженного линзой, фокусирующей излучение диода; этот источник работает при темп - pax от - 195 С до - - 1253С и излучает свет с длиной волны - 0 9 мк; во избежание нагрева из-за больших токов диод работает в импульсном режиме; поскольку время жизни носителей т - 10 - 1G сек, излучение диода можно модулировать частотой вплоть до 900 Мгц, подавая модулирующее напряжение непосредственно на р-п-пе-рсход; помещая диод в магнитное поле ( до 90 кгс), можно управлять частотен. [14]
Дер между квазиуровнями Ферми для дырок и электронов превышало величину энергии кванта света, к-рый может генерироваться в данном ПП ( напр. Если же условия генерации когерентного излучения не выполнены, то получается источник некогерентного неполярнзованпого спета, излучаемого в большом телесном угле. [15]
Страницы: 1 2