Большая Энциклопедия Нефти и Газа

Спонсор - это человек, которому расстаться с деньгами проще, чем объяснить, откуда они взялись. Законы Мерфи (еще...)

Генерация - неравновесный носитель - заряд

Cтраница 1

Описанная генерация неравновесных носителей заряда под воздействием света, однако, не используется в микроэлектронике. Мы коротко рассмотрели ее как пример самого простого механизма образования неравновесных носителей заряда. Для микроэлектроники значение имеет другой механизм, о котором речь пойдет ниже.  [1]

Если процесс генерации неравновесных носителей заряда происходит не во всем объеме, а только в какой-то части полупроводника, то там образуется локальная область с повышенной концентрацией носителей заряда, что вызывает появление диффузионного тока.  [2]

Структура фоторе - [ IMAGE ] Фоторезистор в.  [3]

Так как скорость генерации неравновесных носителей заряда остается постоянной при постоянном световом потоке, то скорость рекомбинации быстро нарастает и достигает скорости процесса генерации носителей. В результате устанавливается статическое состояние для неравновесной концентрации носителей.  [4]

При облучении полупроводника наряду с генерацией неравновесных носителей заряда происходит и обратный процесс - рекомбинация. Через некоторое время после начала облучения устанавливается динамическое равновесие между генерацией и рекомбинацией.  [5]

Основными причинами изменения характеристик арсенида галлия при воздействии ионизирующих излучений, также как у Ge и Si, являются возникновение радиационных дефектов в кристаллической структуре и процессы генерации неравновесных носителей заряда.  [6]

Процессы, ведущие к уничтожению избыточных ( неравновесных носителей заряда, а-электроны в зоне проводимости и неравновесные дырки в валентной зоне, б рекомбинация. дырка 2 захватывает электрон 2. Освобождаемая при этом энергия может превращаться в энергию тепловых колебаний решетки кристалла или выделяться в виде кванта излучения, в - захват электрона глубоким уровнем. свободный электрон 2 зоны проводимости исчезает, а число дырок не изменяется, г-захват дырки глубоким уровнем. свободная дырка 3 валентной зоны исчезает, но число электронов не изменяется, д - рекомбинация через глубокий уровень. один и тот же глубокий уровень захватывает электрон 3 и дырку 3.  [7]

Их называют обычно неравновесными носителями заряда. Рассмотрим генерацию неравновесных носителей заряда сначала на простом примере. Если воздействовать светом определенной длины волны на полупроводник, то электрон, поглотив один фотон, будет возбужден из валентной зоны в зону проводимости, а в валентной зоне останется одна дырка. Электропроводность полупроводника увеличивается, но лишь на короткое время, так как продолжительность жизни неравновесных носителей заряда ограничена.  [8]

Сразу же после начала освещения, по мере увеличения концентрации неравновесных носителей заряда начинает увеличиваться интенсивность процесса рекомбинации. Поскольку скорость генерации неравновесных носителей заряда остается постоянной при постоянной интенсивности освещения, то интенсивность рекомбинации скоро достигает интенсивности процесса генерации носителей, и устанавливается стационарное состояние неравновесной концентрации фотоносителей.  [9]

Наиболее удобным методом создания неравновесных условий в полупроводниковой подложке структуры МДП является приложение к полевому электроду внешнего электрического поля, истощающего приповерхностную ОПЗ на основные носители тока. В этих условиях задача определения характеристических параметров генерационного процесса сводится к установлению взаимосвязи между параметрами неравновесной ОПЗ, величиной и законом изменения внешнего напряжения, а также фундаментальными характеристиками физических явлений, ответственных за генерацию неравновесных носителей заряда.  [10]

В ПП наибольшее теоретическое и практическое значение имеет внутр. Внутр фотоэффект может проявляться; в изменении проводимости ( фотопроводимость) однородного ПП, в возбуждении эдс в однород ном IIП ( фотодиффузионный эффект), в возник-1 новении эффекта Холла на фотодиффузионном токе ( фотогальваномагнитный эффект), в появ-1 лении эдс в неоднородном ПП ( фотоэдс в р-п-переходах) Эти явления существенно зависят от процессов генерации неравновесных носителей заряда ( фотоионизации), от характера их движения под действием диффузий и внешних или внутр.  [11]

Страницы:      1