Генерация - вакансия
Cтраница 1
Генерация вакансий во внешнем обводе колонии, на дислокациях и на границе с жидкостью ( при кристаллизации которой происходит уменьшение объема) и их погашение атомами углерода на границе с графитом выливается в направленный поток вакансий к эвтектическому графиту. Об определяющем влиянии этого процесса на кинетику роста колоний свидетельствуют морфологические особенности включений эвтектического графита, формирующихся в аустените. [1]
До-видимому, имеет место генерация вакансий, их диффузия по кристаллу и объединение в скопления. [2]
Эти особенности обусловлены в основном генерацией углеродных вакансий вблизи поверхности кристалла, которые проявляют донорные свойства, а также образованием простых и сложных комплексов, состоящих из примесных атомов и вакансий. [4]
Существование двусторонних фаз возможно потому, что в зависимости от внешних условий наблюдается преимущественная генерация вакансий, антиструктурных дефектов или междоузель-ных атомов либо одной, либо другой подрешетки. Здесь речь идет о так называемых собственных, а не примесных дефектах, которые обусловлены различным положением атомов компонентов. [5]
Существование двусторонних фаз возможно потому, что в зависимости от внешних условий наблюдается преимущественная генерация вакансий, антиструктурных дефектов или междоузельных атомов либо одной, либо другой подрешетки. Здесь речь идет о так называемых собственных дефектах, обусловленных различным положением атомов компонентов, а не примесных дефектах, которые определяются чужеродными посторонними атомами. [6]
Существование двусторонних фаз возможно потому, что в зависимости - от внешних условий наблюдается преимущественная генерация вакансий, антиструктурных дефектов или междоузельных атомов либо одной, либо другой подрешетки. Здесь речь идет ] в так называемых собственных дефектах, обусловленных различным положением атомов компонентов, а не примесных дефектах, которые определяются чужеродными посторонними атомами. [7]
Это связано, по-видимому, с концентрацией примесей на границах и субграницах, что дезактивизирует их как места генерации вакансий. При высоких же температурах примеси уходят в глубь зерен, и эффективность границ как источников вакансий восстанавливается. Влияние температуры зависит от содержания кремния в отливке. [8]
Когда в кристалле имеются дислокации с большими ступеньками, процесс отжига контролируется диффузией вдоль дислокации, а не диффузией в решетке) Решение диффузионного уравнения для аннигиляции сверхравновесных вакансий на дислокациях f29, 30 ] указывает на существование ускоренной стадии, после которой отжиг удовлетворяет экспоненциальной зависимости. Джексоном было показано [311], что решение подобно и для генерации вакансий дислокациями. Эта плотность настолько низка, что, очевидно, дислокационные источники и стоки можно не рассматривать. [9]
Автокаталитический режим размножения подвижных дислокаций и вакансий требует, чтобы перекрестные слагаемые Срп, Три имели положительные знаки, означающие положительную обратную связь между дефектами. Знак слагаемого Три в (3.62) определяется конкуренцией поглощения вакансий краевыми дислокациями, с одной стороны, и генерации вакансий, обусловленной взаимодействием дефектов, - с другой. Экспериментальные условия образования полос локализованной деформации [220-222] таковы, что преобладает второй механизм и обратная связь является положительной. [10]
На стадии межзеренного разрушения зона сплавления, наоборот, является наиболее вероятным очагом излома, так как вследствие жесткости напряженного состояния уровень нормальных напряжений в ней является наибольшим. В условиях межзеренного разрушения неизбежная искаженность строения кристаллической решетки на этом участке будет приводить к интенсивному развитию процесса генерации вакансий и дислокаций и тем способствовать появлению в нем преждевременных изломов. [11]
ИМП-индуцировшшые преобразования микроструктуры кристаллов кремния сопровождаются протпкпнием эндо - и экзотермических процессов со сложной томпературно-временной зависимостью. Масштаб ИМП-индуцированных термодинамических неус-тойчивостий в кристаллах Cz-Si на два порядка больше, чем в Zm-Si, что подтверждает ключевую роль межузельного кислорода в возникновении ИМП-индуцированных эффектов в кристаллах кремния. Наблюдавшиеся термодинамические неустойчивости могут быть обусловлены протеканием квазихимических реакций и релаксацией упругих напряжений в кристаллах кремния при ИМП-индуцированиом преобразовании их микроструктуры. V - вакансия, или связей Si-Si при генерации дополнительных вакансий но поверхности, восполняющих их потребление при образовании кислородно-вакансионных комплексов в объеме), а экзотермические - с выделением тепла при образовании химических связей в процессе формирования новых дефектов, а также с высвобождением энергии упругой деформации кристалла Сг-Si. При этом, рост кислородно-вакансионных комплексов, являющихся точечными источниками упругих напряжений в кристалле, способствует дальнейшей генерации вакансий на поверхности, создавая тем самым положительную обратную связь, необходимую для возникновения самоорганизующихся процессов. Особенностями обнаруженных термодинамических неустойчивостей является наличие инкубационного периода в десятки часов перед их проявлением, скачкообразный характер возникновения и прекращения акзотермических процессов иа фоне зндотермик, а также наличие мелкомасштабных флуктуации в процессе протекания. Выявленнъ - при термографировинии особенности кинетики ИМП-индуцированных эффектен характерны для кооперативных процессов. X z - Si, возбужденных воздействием ИМП, происходит через иерархию структурных неустойчивостей. [12]
ИМП-индуцировшшые преобразования микроструктуры кристаллов кремния сопровождаются протпкпнием эндо - и экзотермических процессов со сложной томпературно-временной зависимостью. Масштаб ИМП-индуцированных термодинамических неус-тойчивостий в кристаллах Cz-Si на два порядка больше, чем в Zm-Si, что подтверждает ключевую роль межузельного кислорода в возникновении ИМП-индуцированных эффектов в кристаллах кремния. Наблюдавшиеся термодинамические неустойчивости могут быть обусловлены протеканием квазихимических реакций и релаксацией упругих напряжений в кристаллах кремния при ИМП-индуцированиом преобразовании их микроструктуры. V - вакансия, или связей Si-Si при генерации дополнительных вакансий но поверхности, восполняющих их потребление при образовании кислородно-вакансионных комплексов в объеме), а экзотермические - с выделением тепла при образовании химических связей в процессе формирования новых дефектов, а также с высвобождением энергии упругой деформации кристалла Сг-Si. При этом, рост кислородно-вакансионных комплексов, являющихся точечными источниками упругих напряжений в кристалле, способствует дальнейшей генерации вакансий на поверхности, создавая тем самым положительную обратную связь, необходимую для возникновения самоорганизующихся процессов. Особенностями обнаруженных термодинамических неустойчивостей является наличие инкубационного периода в десятки часов перед их проявлением, скачкообразный характер возникновения и прекращения акзотермических процессов иа фоне зндотермик, а также наличие мелкомасштабных флуктуации в процессе протекания. Выявленнъ - при термографировинии особенности кинетики ИМП-индуцированных эффектен характерны для кооперативных процессов. X z - Si, возбужденных воздействием ИМП, происходит через иерархию структурных неустойчивостей. [13]
Страницы: 1