Поверхностная ионизация

Cтраница 1

Поверхностная ионизация протекает путем передачи электрона атома или молекулы нагретой до высокой температуры и заряженной положительно металлической поверхности. [1]

Схема энергетических уровней атома цезия. [2]

Поверхностная ионизация, эффективность которой зависит от свойств материалов и особенно от температуры и работы выхода, может дать необходимое количество ионов для нейтрализации пространственного заряда при условии, что работа выхода достаточна велика. Поскольку при уменьшении работы выхода плотность тока увеличивается, обязательно должна существовать точка равновесия, в которой скорости образования ионов и электронов таковы, что пространственный заряд вблизи поверхности полностью нейтрализуется. Поэтому с принципиальной точки зрения при изучении материала крайне важно знать истинную работу выхода некоторой поверхности при определенной температуре и в присутствии контролируемой концентрации атомов цезия. Однако достаточно надежные данные получить очень трудно. [3]

Зависимость степени ионизации, молекул воздуха от его температуры.| Потенциалы поверхностной ионизации различных металлов. [4]

Поверхностная ионизация с катода может иметь различные формы, которые перечисляются ниже. [5]

Исследована поверхностная ионизация на вольфраме металлических серебра и меди. Использован трехнитный ионный источник и 60 -ный магнитный масс-спектрометр. Ниже 2500 К обнаружено отклонение от простой формулы Лангмюра. Значительное повышение а в этой области объяснено увеличением работы выхода вольфрама, обусловленным адсорбцией кислорода. [6]

Методом поверхностной ионизации определена разность величин сродства к электрону атомов F и Вг. Величины сродства к электрону для F, Cl, J, S, CN получены на основании ЕА ( Вг) 3 56 эв. [7]

При поверхностной ионизации эмиссия ионов с поверхности накаленного металла-эмиттера может осуществляться либо в результате эмиссии ионов основного вещества и примесных веществ эмиттера, либо в результате термодесорбции ионов адсорбированных на поверхности металла посторонних веществ. Применение этого масс-спектрометрического метода к проблемам поверхности твердого тела дает возможность изучать следующие вопросы: природу адсорбента-эмиттера и его поверхности; адсорбционные процессы; реакции в хемосорбционных слоях на поверхности; теплоты испарения ионов и их зависимость от степени покрытия; энергии связи адсорбированных частиц; процессы диффузии в объеме и на поверхности эмиттера; определение температурной зависимости выхода реакции в адсорбированном слое; распределение ионов по энергиям. [8]

Коэффициент поверхностной ионизации показывает число электронов, вылетающих из катода при ударе положительного иона. Коэффициент объемной ионизации показывает число электронов и ионов, образуемых одним электроном на 1 см пути от анода к катоду. [9]

Сущность поверхностной ионизации веществ заключается в том, что вещества с раскаленной поверхности могут испаряться в виде положительных ионов. [10]

Причиной процессов поверхностной ионизации является эмиссия ( испускание) электронов твердыми или жидкими телами под действием квантов радиации, падающих на тело ( поверхностный или внешний фотоэффект), под действием высокой температуры ( термоэлектронная эмиссия), сильного поля у поверхности тела ( автоэлектронная эмиссия), ударов о поверхность тела ионов и электронов ( вторичная эмиссия), возбужденных и, наконец, нейтральных атомов. Процессы электронной эмиссии имеют и самостоятельное значение помимо явлений газового разряда, так как некоторые из них происходят и на границе между твердым телом и высоким вакуумом и обусловливают собой прохождение электрического тока через вакуум. [11]

Первый способ поверхностной ионизации имеет решающее значение в электронных приборах, в которых катод нагревается специально для освобождения большого числа электронов. В изоляционных конструкциях в начальных стадиях разряда этот процесс не имеет места, нов дуговом разряде в месте соприкосновения с дугой катод нагревается до температуры в несколько тысяч градусов и термоэлектронная эмиссия приобретает важное значение в снабжении канала дуги свободными электронами. [12]

Для осуществления поверхностной ионизации внешнее поле должно иметь очень большую величину порядка 1 000 кв / см, что в промышленных изоляционных конструкциях бывает крайне редко. [13]

Таунсенд ввел коэффициент поверхностной ионизации - у, равный числу электронов, в среднем эмитируемых катодом на один падающий ион. С увеличением энергии иона до нескольких тысяч электронвольт у может достигнуть 4 - 5 и по имеющимся данным иногда проходит через максимум. [14]

Для эффективного осуществления поверхностной ионизации на нагретой поверхности из щелочных металлов наиболее подходящим оказался цезий, потенциал ионизации которого равен 3 88 В. Давление паров цезия в преобразователях регулируется, как правило, температурой специального цезиевого резервуара, сообщающегося с межэлектродной областью. [15]

Страницы: 1 2 3 4