Электростатическая ионизация
Cтраница 1
 |
Понижение потенциального барьера под действием электрического поля. [1] |
Электростатическая ионизация, проявлением которой служит эффект Зинера, может выступать в виде других эффектов. Одним из них является эффект Штарка, который приводит к увеличению ширины уровней энергии атомов, образующих кристалл. Увеличение ширины уровней атомов кристалла приводит к увеличению ширины зон энергии и уменьшению ширины запрещенных зон. Но уменьшение ширины запрещенной зоны приводит к росту равновесной концентрации электронов и дырок. [2]
 |
Зависимость интенсивности экситонной фотолюминесценции тел-2 лурнда цинка от электрического поля. / - SB 4 - 1022 сж-2 - сек-1. 2 - SB 1 5 - 1023 сж-2 - сек. [3] |
Электростатическая ионизация экситонов происходит в результате прямого разрыва связи между электроном и дыркой, образующих экситон, в электрическом поле. [4]
 |
Схема термо - - электронной ионизации. [5] |
Особенность электростатической ионизации заключается в том, что ее вероятность совершенно не зависит от температуры. [6]
В теории электростатической ионизации рассматривается возможность существенного увеличения электронной проводимости твердых диэлектриков вследствие перехода электронов в зону проводимости за счет туннельного эффекта как из нормальной зоны, так и из катода. [7]
 |
Электростатическая ионизация. [8] |
В очень сильных электрических полях может происходить электростатическая ионизация, называемая иначе эффектом Зенера. В таких полях становится вероятным туннельное просачивание носителей заряда через запрещенную зону. Переход электронов оказывается возможным вследствие того, что сильное внешнее поле вызывает наклон энергетических зон, тем больший, чем больше напряженность приложенного поля. Переход электронов из валентной зоны в зону проводимости возможен, как показано на рис. 5.3, по АБ и АВ. [9]
Под действием приложенного напряжения происходит ионизация примесных атомов электролюминофора либо в результате тун-нелирования электронов с примесных уровней в зону проводимости ( электростатическая ионизация), либо в результате ударной ионизации в сильном электрическом поле в обедненных поверхностных слоях зерен сульфида цинка. [10]
 |
Зависимость проводимости. [11] |
На рис. 9.6 приведена зависимость In Y от напряженности внешнего электрического поля, где участок 1 соответствует выполнению линейности закона Ома, участок 2 - термоэлектронной ионизации, участок 3 - ударной и электростатической ионизации, участок 4 - пробою. [12]
Из (7.73) видно, что w, а следовательно, и концентрация носителей заряда, генерируемых в полупроводнике под действием поля §, е зависит от температуры. Этим электростатическая ионизация отличается от термоэлектронной и ударной ионизации. [13]
В очень тонких переходах при сопротивлении исходного полупроводника менее 0 5 ом-см возможен туннельный пробой, или пробой Зенера. Здесь действует механизм электростатической ионизации, заключающийся в следующем. При приложении к переходу обратного напряжения энергетические зоны областей смещаются друг по отношению к другу, по сравнению с их положением при термодинамическом равновесии. [14]
Горизонтальные переходы 2 происходят без затраты энергии путем туннельного просачивания электронов через запрещенную зону. Этот механизм называется электростатической ионизацией или эффектом Зинера. Вероятность его w сильно зависит от ширины запрещенной зоны и напряженности приложенного поля. [15]
Страницы: 1 2