Германат - висмут
Cтраница 3
ПАВ как со звукопроводами из кварца, так и ниобата лития и пьезоке-рамики наиболее часто используется алюминиевое покрытие. Медное или золотое покрытие с подслоем хрома хорошо сочетается с германатом висмута. [31]
Другой задачей является дальнейшее совершенствование метода и, в первую очередь, повышение статистической точности расчета искомых аналитических параметров. Это может быть достигнуто за счет перехода на современные высокоразрешающие детекторы гамма-излучения типа германата висмута и новые конструкционные материалы с малым собственным фоновым излучением. [32]
Сцинтилляционные детекторы с фотоумножителями ( ФЭУ) имеют высокую эффективность поглощения ( T) V 0 9) и большую чувствительность в связи с усилением фототока в 103 - т - 104 раз непосредственно ФЭУ. В качестве сцинтилляторов применяют CsJ ( Tl), CsJ ( Na), Bi3Ge, O12, CaF. Среди них германат висмута обладает наилучшей стабильностью к воздействию внешних условий и эффективностью ослабления, но имеет конверсионную эффективность - 10 % от Nal, что требует применения высокочувствительных ФЭУ. [33]
 |
Диаграмма состояния системы MnGeOg - Ge02. [34] |
Приведенная на рис. 321 метаста-бильная диаграмма также получалась путем снятия кривых охлаждения и нагревания, но образцы для термографических исследований получались специально подобранным режимом охлаждения перегретых расплавов. На метастабильной диаграмме фигурирует только одно соединение - фаза А, состав которого авторы не приводят. Авторы предполагают, что между силикатами и германатами висмута существует полный изоморфизм и для силикатной системы, вероятно, возможна реализация метастабильной диаграммы. [35]
Пленки серебра, медные пленки с подслоем ванадия и защитой никелем меньше взаимодействуют с германатом висмута. Поэтому использование защитного слоя моноокиси кремния в этом случае не обязательно. Травление ] серебряных и медных пленок на германате висмута целесообразно проводить J ионно-плазменным методом, который по сравнению с химическими способами позволяет резко уменьшить уход размеров, снизить число закороток между электродами ВШП и повысить воспроизводимость результатов. Травление ионным лучом позволяет уменьшить их до 1 - 2 мкм [3], хотя в этом случае возникает опасность неконтролируемого подтравливания самого звукопровода. [36]
В течение этого времени все напряжение питания приложено к жидкому кристаллу. В случае таких высокоомных полупроводников как силикат и германат висмута, полупроводники группы А2Ве, структура обеднена полностью практически при любом заданном питающем напряжении. Этот факт обусловливает существенное отличие структур с упомянутыми полупроводниками от структур па основе арсенидя галлия и особенно кремния. По этои же причине удобно привести основные закономерности работы структур и провести анализ этих закономерностей в сравнении. [37]
Значительное внимание уделено фотохромным свойствам висмутсодержащих соединений. Фотохромный эффект наблюдается в германате висмута, допированием галлием. Это одна из нескольких добавок, которая электронно компенсирует глубокие донорные центры, ответственные за желтое окрашивание германата висмута светом. [38]
Изоструктурность этих соединений обеспечивает близость сцинтилляционных параметров и их расплавов. Поэтому представляет интерес синтез сложных соединений типа Bi4Ge3 - xSixOi2, которые сочетали бы преимущества обоих типов кристаллов относительно интенсивности свечения и времени высвечивания. Полосы люминесценции всех составов по форме и спектральному положению оказались идентичными друг другу и не отличались от спектра свечения германата висмута. [39]
При выборе состава травителя металлической пленки при изготовлении структур ВШП необходимо учитывать возможность химического взаимодействия: фоторезистами и материалом звукопровода. Для позитивных фоторезистов 5П - 383 и ФП-РН-7 пригодны неразрушающие кислотные травители, щелочные ке травители действуют на позитивные фоторезисты весьма агрессивно. В то ке время такие материалы звукопроводов, как кварц, ниобат лития, пьезо-серамика и сульфид кадмия, сравнительно устойчивы к воздействию кислот, а золее химически активный германат висмута, наоборот, легко взаимодейству - т с органическими и минеральными кислотами, но устойчив к действию ще-ючей. [40]
Из монокристаллических материалов к числу перспективных для использования в фильтрах ПАВ можно отнести танталат лития LiTaO3 германат висмута Bii2GeO2o, парателлурид ТеО2, селен Se, а также пленки окиси цинка ZnO, и нитрида алюминия A1N на сапфире и некоторые другие. Танталат лития LiTaO3 является пока единственным материалом, в котором высокая пьезоэлектрическая активность сочетается с хорошей термостабильностью. Поэтому LiTaO3 в первую очередь представляет интерес для термостабильных фильтров. Германат висмута Bi GeC o является подходящим материалом для линий задержки на большие длительности из-за очень низкой скорости распространения ПАВ и для фильтров со сложной встречно-штыревой структурой благодаря относительно большим размерам выпускаемых кристаллов. [41]
Для полировки германата висмута рекомендуется окись хрома, а для более твердого кварца - полирит. При нежестких требованиях к неплоскостности около 3 мкм для обработки звуко-проводов из кварца, ниобата лития и пьезокерамики целесообразно использовать фетровые полировальники. При неплоскостности менее 1 мкм ниобат лития удобно полировать на стеклянной планшайбе, обтянутой тканью болонья, а более твердый кварц - на смоляных полировальниках. Полировку же германата висмута иногда выполняют с использованием замши. [42]
При разрядке высоколежащих состояний ядер происходит очень большое число у-переходов. Для их анализа требуются спектрометры, объединяющие высокую эффективность регистрации с высоким энергетич. Эти требования осуществляются в системах, состоящих из многих сцинтилляционных и полупроводниковых Ge-де-текторов. В нем использованы 50 сцинтилляционных спектрометров с кристаллами германата висмута ( BGO) и 6 германиевых детекторов высокого разрешения с анти-комптоновск. BGO-детекторы определяют множественность у-переходов, разряжающих исходное состояние ядра, и суммарную энергию каскадных переходов. Энергия индивидуальных переходов определяется сборкой из Ge-детекторов. Кроме энергии у-переходов такие сборки позволяют определять их угл. [43]
Некоторые примеры технических параметров фильтров сжатия на ОР и устройств IMCON сведены в табл. 9 2, где в пятом столбце приведены данные описанного здесь устройства. Уровень боковых лепестков в остальных столбцах характерен для пары устройств с одинаковыми полосами пропускания. Можно заметить что фильтры сжатия на ОР обеспечивают очень большие значения произведения длительности на полосу пропускания, доходящие до 16 200 в одном из устройств; разница времен задержки достигает 100 мкс. В одном из столбцов приводятся параметры устройств на подложках из германата висмута, скорость ПАВ в котором весьма низка, что позволяет получить особенно большое время задержки. [44]
Страницы: 1 2 3