Cтраница 2
Проводимость чистого германия может быть увеличена, если каким-либо образом увеличить количество свободных электронов и дырок в кристалле. [16]
Сопротивление чистого германия оказывается при гелиевых температурах настолько большим, что его использование г, качестве термометра очень затруднительно. Однако, подбирая должным образом концентрацию подходящих примесей, можно снизить сопротивление до разумных величин, сохранив достаточную чувствительность. Например, термометры, применявшиеся Эстерманом, имели сопротивление порядка нескольких сотен ом при 4 2 К и нескольких тысяч ом при 2 К. Такие термометры не имеют каких-либо особых преимуществ перед угольными, вместе с тем они не столь прочны и их приготовление связано со значительными трудностями. [17]
Электропроводность чистого германия при очень низких температурах приближается к нулю. Кристалл германия, подобно кристаллу алмаза, имеет атомы с координационным числом 4 и по паре электронов на каждую связь. [18]
В чистых германии и кремнии основное взаимодействие между носителями и решеткой обусловлено акустическими колебаниями решетки. [19]
![]() |
Движение носителей зарядов в работающем р-п - р транзисторе. Для больше ]. ясности ионы-на JTOM рисунке не показаны. [20] |
В чистом германии под воздей ствием электрического поля величиной в один вольт на сантиметр электроны пробегают около юрока метров в секунду, тогда как дырки перемещаются вдвое медленнее. В кремнии при этих же условиях у электронов скорость порядка двенадцати метров в секунду, а скорость дырок составляет всего лишь два с половиной метра в секунду. А в некоторых и н т е р м е т а л л и ч е с к и х соединениях скорость электронов достигает более полукилометра в секунду. [21]
В чистом германии или кремнии, вследствие сильной связи элементов с ядром очень мало свободных электронов, а поэтому практически нет условий для создания электрического тока. Иными словами, собственная электропроводность этих полупроводников ничтожна. [22]
В чистом германии тепловые колебания атомов, вызывающие разрушение ковалентных связей, являются единственным источником образования электронов и дырок. Чистым полупроводником считается полупроводник, не содержащий примесей. [23]
В чистом германии и кремнии количество освобождающихся элек - тронов равно количеству дырок, но если искусственно к этим четырехвалентным элементам добавить немного атомов другого вещества, можно получить преобладание п - или р-проводимости. Пятивалентные элементы: сурьма, мышьяк, фосфор - донорные примеси - они отдают свой пятый легковозбуждающийся свободный электрон в решетку германия или кремния и создают полупроводник ( n - типа) с электронной проводимостью. Трехвалентные элементы: индий, алюминий, бор - акцепторные примеси для обеспечения связи между атомами ( ионами) - забирают один ( четвертый) электрон германия или кремния, образуя электронную дырку, создают дырочный тип ( р-тип) проводимости. [24]
Если в чистый германий добавить атомы элементов III группы таблицы Менделеева, например индия, у которых имеется по три валентных электрона, то этих электронов хватит для установления ковалентной связи с тремя соседними атомами германия. У кристалла германия с примесью атомов элементов III группы проводимость преимущественно дырочная. [25]
![]() |
Печь для очистки германия методом зонной плавки. [26] |
Если очищать чистый германий такими методами современной металлургии, как зонная перекристаллизация, удается получить ультрачистый металлический германий. Зонную плавку металлов ведут в вакууме или в атмосфере инертного газа, обычно аргона. В цилиндрическую печь ( рис. 46) с нагревающимися до высокой температуры кольцами вводят кварцевую или графитовую трубку, в которую помещена лодочка с тонким слитком спектрально чистого металлического германия. Когда лодочка медленно перемещается в кварцевой трубке ( или цилиндрическая печь - вдоль кварцевой трубки), то слиток частично плавится со стороны горячего кольца. [27]
Так выглядит чистый германий. [28]
Как получают очень чистый германий. [29]
Точка плавления чистого германия, к которой обычно относятся коэффициенты распределения k /, для бинарной системы. [30]