Поликристаллический германий
Cтраница 1
Поликристаллический германий выпускают в виде слитков длиной не менее 280 мм, имеющих сечение в форме сегмента или трапеции. Поверхность слитков должна быть блестящей и не должна иметь цветов побежалости, трещин и посторонних включений. В германии высшей марки, кроме того, контролируют концентрацию носителей заряда и их подвижность при 77 К, которые должны быть не более ЫО12 см-3 и не менее 1 5 - Ю3 см2 / ( В-с) соответственно. Эти параметры измеряют на контрольном монокристалле, выращенном методом Чохральского из графитового или кварцевого, покрытого пироуглеродом тигля. Для предотвращения загрязнения выращиваемого контрольного монокристалла процесс проводят в установке, имеющей кварцевую камеру с наружным высокочастотным индуктором, или в обычной установке, тепловой узел которой имеет кварцевую экранировку, а графитовый нагреватель защищен кварцевым чехлом. [1]
Из очищенного поликристаллического германия или кремния выращивают, как правило, способом Чохраль-ского, монокристаллы, кристаллографическая ориентация которых определяется ориентацией затравки вращающейся и вытягиваемой из так же вращающегося расплава. Осуществляется он в вакууме или в атмосфере очищенного инертного газа или водорода. В настоящее время разработаны способы очистки кремния, позволяющие получать монокристаллический кремний с электропроводностью, близкой по значению к собственной. [2]
Партия поликристаллического германия марки ГПЗ 1 изготовляется из одной партии двуокиси германия общей массой не более 150 кг. Партия поликристаллического германия марки ГПЗ 2 устанавливается по согласованию с потребителем. [3]
Каждый слиток поликристаллического германия помещают в пакет из полиэтиленовой пленки. [4]
 |
Вид сбоку многотрубных установок для кристаллизационной очистки германия методами горизонтальной направленной кристаллизации ( а и зонной плавки ( б. [5] |
Лучшие результаты дает очистка поликристаллического германия методом горизонтальной направленной кристаллизации, проводимой в отдельной печи. [6]
Прежде в полупроводниковых приборах использовали поликристаллический германий, который получали отливкой в форму, как это принято в металлургии. [7]
Доля вторичного сырья в производстве поликристаллического германия достаточно велика и доходит до 50 %, так как использование германия в приборах не превышает 5 - 7 % от массы исходных монокристаллов. [8]
Полученный тем или инь м способом поликристаллический германий дальше поступает на выращивание монокристалла и окончательную очистку. При этом чаще других применяется зонная плавка. [9]
Для производства монокристаллического легированного и нелегированного германия используют поликристаллический германий, полученный водородным восстановлением двуокиси германия и подвергнутый кристаллизационной зонной очистке. [10]
Контроль удельного электрического сопротивления, геометрической формы, размеров, а также поверхности проводят на каждом слитке поликристаллического германия. [11]
Поликристаллический германий принимают партиями. [12]
Партия поликристаллического германия марки ГПЗ 1 изготовляется из одной партии двуокиси германия общей массой не более 150 кг. Партия поликристаллического германия марки ГПЗ 2 устанавливается по согласованию с потребителем. [13]
Кристаллы германия вытягивались из расплава обычным способом со скоростью роста около 5 см и скоростью вращения 100 об / мин. В качестве исходного материала использовался поликристаллический германий с сопротивлением больше 40 ом-см при 300 К, полученный зонной плавкой. Во время роста в расплав вводилось железо в концентрации от 0 04 до 0 1 атомн. [14]
Известны и другие разновидности зонной плавки. Так, Нельсон [92] получил однородные по содержанию примеси монокристаллы германия путем вытягивания с одновременным введением в расплав особо чистого поликристаллического германия, чтобы объем жидкой фазы Оставался постоянным. [15]
Страницы: 1