Аморфный германий - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Никогда не недооценивай силы человеческой тупости. Законы Мерфи (еще...)

Аморфный германий

Cтраница 2


16 Функция a ( S-1 и радиальное распределение аморфных веществ. [16]

Параметр ячейки германия равен 5 62 А, а кремния - 5 42 А. Структура аморфного германия и кремния детально исследована Я. И. Стецивом и И. Д. Набитовичем методом дифракции электронов.  [17]

В случае аморфного германия и кремния максимумы на кривой a ( S) обнаруживаются соответственно при S, равных 1 94; 3 45; 5 35; 6 5; 8 4; 10 9; 13 4; 16 0; А 1 для Ge, и S, равных 1 98; 3 60; 5 55; 6 7; 8 6; 11 2; 14 0; 16 6 А-1 для Si.  [18]

Предложен новый способ получения монокристаллов германия, основанный на реакции тетраалкилов германия с диэтиламином при температуре 4Г) 0 С в течение ( час. Методами электронной микроскопии и электронной микродифракции установлено, что твердые продукты реакции термораспада R4 0 являются чистым поликристаллическим слоем германия и лишь в топких слоях наблюдается жидкоподобпое состояние. Твердые продукты реакции тетраалкилгермания с днэтиллмином также представляют собой чистый поликристаллическип германии с содержанием незначительного количества аморфного германия.  [19]

В настоящее время заметно возрос интерес к стеклообразным или аморфным полупроводникам, изготовляемым из халькогс-иов - серы, селена теллура - или из их соединений с другими элементами. Аморфный селен, например, используют в фотокопировальных устройствах. Другие традиционные полупроводники, такие, как германий и кремний, могут быть также получены в виде тонких аморфных пленок. В настоящее время существует возможность легировать их таким же образом, как и кристаллические германий и кремний. Аморфные германии и кремний смогут найти свое применение в устройствах, где необходимо иметь большую поверхность полупроводникового материала, например в преобразователях солнечной энергии.  [20]

Исследование оптических свойств кристаллических полупроводников дает обширную информацию об их зонной структуре. Данные об энергетическом спектре аморфных полупроводников также могут быть получены из оптических измерений. Первостепенная роль отводится при этом измерениям спектров поглощения. Спектры поглощения аморфных полупроводников удобно сравнить со спектром тех же материалов в кристаллическом состоянии. На рис. 11.14 в качестве примера приведен край спектра оптического поглощения аморфного кремния, который сравнивается с соответствующим спектром кристаллического кремния. Аналогичные данные получены для аморфного германия, арсенида и антимонида индия и некоторых других полупроводников.  [21]



Страницы:      1    2