Герметизация - полупроводниковый прибор
Cтраница 1
Герметизация полупроводниковых приборов холодной сваркой обеспечивает получение вакуумно-плотного сварного шва. При герметизации этим методом свариваемые детали не разогреваются, нет газовыделений и выплесков металла. Применение холодной сварки ограничивает выбор материалов как по толщине, так и по свойствам. Холодная сварка металла толщиной менее 0 3 мм еще не освоена. Один из металлов, свариваемых холодной сваркой, должен быть пластичным. Значительные деформации металлов при сварке увеличивают габариты приборов. [1]
Герметизация полупроводниковых приборов холодной сваркой обеспечивает получение вакуумноплотного сварочного шва. При сварке этим методом детали не разогреваются, нет газовыделения и выплеска металла. Но применение холодной сварки требует соответствующей конструкции корпуса, ограничивает выбор металлов как по толщине, так и по свойствам. Холодная сварка металлов толщиной менее 0 3 мм в настоящее время еще не освоена, так как хотя бы один из свариваемых металлов должен быть обязательно пластичным. Значительные деформации металлов, происходящие при холодной сварке, усложняют конструкцию корпуса и увеличивают габариты полупроводниковых приборов. [2]
Герметизация полупроводниковых приборов может осуществляться с помощью легкоплавких стекол состава SiO2 - В2 () 3 - РЬО - А12О3 - ZnO. Растворы готовят на основе гидролизатов тетраэтоксисилана. Компоненты шихты берутся в виде растворимых солей. Метод позволяет получить тонкие гладкие и равномерные покрытия толщиной от долей микрона до нескольких микрон. При нанесении покрытия обеспечивается чистота процесса, что позволяет наносить покрытия на незащищенную поверхность полупроводника, и операция предварительного окисления может быть исключена. При получении покрытия предварительная варка стекла не требуется. [3]
 |
Ножки транзисторов. а - ГТ108, б - ГТ109 и ГТ310. [4] |
Герметизация полупроводниковых приборов электроконтактной или холодной сваркой требует создания конструкций металлостеклянных спаев, исключающих их разрушение под действием напряжений, возникающих при герметизации, что также отличает эти спаи. Кроме того, к металлостеклянным спаям в полупроводниковом производстве предъявляют более высокие требования в отношении надежности. [5]
Герметизация полупроводниковых приборов преследует три цели. Во-вторых, обеспечивается внешнее оформление триода, необходимое для последующего применения в схемах. Наконец, от конструкции оболочки прибора зависит допустимая мощность рассеяния. Удовлетворительная работа триодов при повышенных температурах частично зависит от площади кристаллодержателя, массы и свойств материалов, применяемых при герметизации, и от обеспечения тепловой связи прибора с окружающей средой. Конструкция триода с точки зрения теплоотвода и способов схемного монтажа будет рассмотрена ниже. [6]
Для герметизации полупроводниковых приборов с помощью пластмасс предлагается добавлять в герметизирующий материал силикагель или цеолит, диспергированный в пластмассе. [7]
Для уменьшения дестабилизирующего влияния поверхности применяется герметизация полупроводниковых приборов в контролируемой газовой среде. [8]
Приведенные выше требования по сборке и герметизации полупроводниковых приборов в корпусе должны выполняться и при установке бескорпусных приборов в микросхему и герметизации гибридных интегральных микросхем. [9]
С помощью полимерных материалов осуществляют также герметизацию полупроводниковых приборов, резисторов, конденсаторов, трансформаторов и дросселей. [10]
 |
Монтаж интегральных схем на печатные платы. [11] |
В работе [24] предлагается малогабаритный плоский металло-стеклянный корпус для герметизации полупроводниковых приборов и интегральных схем. Основа корпуса - стеклянный диск, впаянный в металлическое кольцо. В стеклянный диск вварены массивные металлические штырьки с плоскими торцами. Наружные торцы штырьков изготовлены заподлицо с диском. К ним привариваются ленточные выводы. Внутренние торцы выдаются над стеклянным диском. Они служат для монтажа кристаллов или для приварки к ним внутренних выводов. [12]
 |
Рельефная конденсаторная машина МРК-Ю001. [13] |
МРК-4001 и МР К - 10001 ( рис. 69) предназначены для герметизации корпусбв полупроводниковых приборов из ко-вара, никеля и стали. На машине МРК-4001 периметр свариваемых корпусов равен 22 - 55мм, на машине МРК-1001 - 55 - 100 мм. Сварка ведется однополярными импульсами тока. Машина МРК-16003 предназначена для герметизации силовых полупроводниковых вентилей диаметром 30 - 50 мм. [14]
ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ТЕХНИКА - это компаунды ускоренной вулканизации СИЭЛ и герметики эластосил, предназначенные для защиты интегральных схем и герметизации полупроводниковых приборов; высокочистый кремний, моно-силан, получаемый бесхлорным методом, дисилан ОСЧ, арсин, фосфин и моногерман для создания эпитаксиальных структур, являющихся основой солнечных батарей, фотоприемников, светодиодов и другой полупроводниковой техники; особочис-тые теллур и селен для приборов тепловидения. [15]
Страницы: 1 2