Cтраница 3
Самым универсальным методом удаления защитного покрытия фоторезиста взамен растворения является превращение этого фоторезиста в летучие окислы. Однако условия проведения операции удаления фоторезиста очень жесткие и зачастую могут привести к окислению поверхности пленки или к нежелательному взаимодействию материалов подложки и пленки. Во избежание затруднений были разработаны методы, в которых окисление осуществляется при более низких температурах с помощью применения физически активированного кислорода. Удаление покрытия фоторезиста ионной бомбардировкой облегчается при образовании высокореакционнсспособного атомарного кислорода. Применения внешних нагревателей не требуется. Подложки, подвергающиеся воздействию разряда, нагреваются до температур 100 - 300 С, в зависимости от давления кислорода и ВЧ энергии. Скорость удаления фоторезиста, по данным Ирвинга [119], 1000 - 2000 А мин - при температуре подложки 75 - 120 С. [31]