Искажение - поле
Cтраница 4
Для решения последней задачи важно избежать искажения поля в результате преломления лучей на границе призма - ОК. Тогда будет происходить трансформация продольных волн в поперечные без их преломления. Трудность состоит в разработке материала с соответствующей скоростью продольных волн. [46]
Емкость плоского конденсатора определим, пренебрегая искажением поля у его краев. Применим постулат Максвелла к замкнутой поверхности, охватывающей заряд q одной пластины. След этой замкнутой поверхности изображен на рис. 3 - 7 штриховой линией. Часть поверхности внутри конденсатора проведем нормально к линиям напряженности поля. Линии поля пересекают только эту часть замкнутой поверхности, равную поверхности пластины. [47]
 |
Два параллельных заряженных цилиндра. [48] |
Длина линии настолько велика, что искажением поля у концов линии можно пренебречь. Так как заряды влияют друг на друга, то распределение их по поверхности проводов будет неравномерным. Чтобы найти потенциал и напряженность электростатического поля линии, надо определить такое расположение двух фиктивных заряженных осей, при котором поверхность проводов линии совпадает с соответствующими эквипотенциальными поверхностями этих осей. [49]
Емкость плоского конденсатора определим, пренебрегая искажением поля у его краев. Применим постулат Максвелла к замкнутой поверхности, охватывающей заряд q одной пластины. След этой замкнутой поверхности изображен на рис. 3 - 7 штриховой линией. Часть поверхности внутри конденсатора проведем нормально к линиям напряженности поля. Линии поля пересекают только эту часть замкнутой поверхности, равную поверхности пластины. [50]
Емкость плоского конденсатора определим, пренебрегая искажением поля у его краев. Применим постулат Максвелла к замкнутой поверхности, охватывающей заряд q одной пластины. След этой замкнутой поверхности изображен на рис. 3.7 штриховой линией. Часть поверхности внутри конденсатора проведем нормально к линиям напряженности поля. Линии поля пересекают только рис о у эту часть замкнутой поверхности, равную поверхности пластины. [51]
Низкая чувствительность к радиации часто обусловлена искажением поля, вызываемым зарядом, накапливающимся на поверхности перспекса над анодными нитями. Поэтому необходимо принять меры предосторожности против образования статического электричества. При использовании камеры для оценки хроматограмм в тонком слое одна из трудностей состоит в том, что незакрепленный порошок сорбента-носителя вытягивается с пластинки и оседает на электродах и поверхности над анодом. Это приводит к загрязнению камеры, от которого не просто избавиться, так как очистка камеры сопряжена с известными трудностями. [52]
 |
Характер изменения ионизационного нарастания в процессе развития разряда. [53] |
Например, при дальнейшем увеличении тока разряда искажение поля приводит к неравенству I R 1 и ток снова уменьшается до величины, соответствующей стационарному состоянию. Таким образом, пробой разрядного промежутка представляет собой переходный процесс от начального неустойчивого состояния к устойчивому с увеличенным током через разрядный промежуток. [54]
Уравнение ( 1457) теоретически обосновано ограничением искажения поля поперечным полем якоря. [55]
Величина р является не только критерием степени искажения поля. Она также позволяет оценить относительную роль условий у катода или свойств жидкости. [56]
 |
Альдегидное разложение спирта. [57] |
Изменение поля происходит постепенно, и уменьшение искажения поля обратно пропорционально увеличению числа атомов меди, приходящихся на один находящийся на поверхности атом углерода. Предполагается, что чем меньше энергия наружного поля активных центров осажденной на углероде меди, тем больше энергия активации. С увеличением количества осажденной на носителе меди поверхность приближается к поверхности чистой меди и теплота активации приближается к теплоте активации чистой меди. [58]
Формула ( 3 - 26) не учитывает искажения поля у краев электродов. [59]
Третий член правой части ( 730) выражает искажение поля отрицательными ионами. Этот член больше нуля: отрицательные ионы увеличивают напряженность поля в отрицательном коронирующем слое. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5