Cтраница 2
ГИзм), которые изображены на рис. 3.13. Это свидетельствует о постоянстве значений внутренних напряжений при данной температуре. Следует отметить, что зависимости авн / ( ГИЗм) для образцов, отвержденных при различных температурных режимах, в области температур ниже Гс параллельны. Это свидетельствует о том, что для полностью отвержденных образцов произведение EI ( ZZ - i) в области стеклообразного состояния полимера мало зависит от температуры отверждения. [16]
Тазм), которые изображены на рис. 3.13. Это свидетельствует о постоянстве значений внутренних напряжений при данной температуре. Следует отметить, что зависимости ствн / ( ГИЗм) для образцоз, отвержденных при различных температурных режимах, в области температур ниже Гс параллельны. [17]
Предполагается, что реакцию системы можно улучшить путем помещения термобаллона в чехол, увеличив тем самым вдвое его постоянную времени, так как в этом случае оказывается возможным увеличить коэффициент усиления регулятора. Определим основные параметры фактической реакции температуры на изменение нагрузки при Гизм100 сек и ГИзм 200 сек. [18]
Кроме того, следует учесть погрешность вследствие нестабильности источника калибровочного напряжения ( нормальный элемент, ненасыщенный) и погрешность от дискретности частотомерной части. Согласно рекламным данным, минимальная погрешность вслед за проведением установки нуля тока, установки нуля напряжения и калибровки ( все операции проводятся дважды при Гизм 20 мсек и Гизм 80 мсек) составляет At 0 05 % Ux 1 ед. [19]
Кроме того, следует учесть погрешность вследствие нестабильности источника калибровочного напряжения ( нормальный элемент, ненасыщенный) и погрешность от дискретности частотомерной части. Согласно рекламным данным, минимальная погрешность вслед за проведением установки нуля тока, установки нуля напряжения и калибровки ( все операции проводятся дважды при Гизм 20 мсек и Гизм 80 мсек) составляет At 0 05 % Ux 1 ед. [20]
Поэтому если кристалл был изготовлен или подвергнут термообработке при температуре Г06Р, а измерения проводятся при более низкой температуре Тшм, то следует рассматривать два случая. Когда кристалл охлажден столь медленно, что концентрация точечных дефектов достигает своего равновесного значения, соответствующего Гизм, говорят о полно внутреннем равновесии кристалла. Этот практически невозможный случай используют в теории для установления общих закономерностей. [21]