I-параметр - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Неудача - это разновидность удачи, которая не знает промаха. Законы Мерфи (еще...)

I-параметр

Cтраница 2


Рассмотрим гибридные или / i-параметры транзистора.  [16]

Полупроводниковые триоды изменяют свои / i-параметры в зависимости от выбора рабочей точки в значительно большей степени, нежели вакуумные лампы. Кроме того, изменения температуры прибора также приводят к значительным колебаниям малосигнальных параметров.  [17]

Очевидно, что значения / i-параметров в схемах ОБ и ОЭ будут различны.  [18]

Эквивалентная схема транзистора с / i-параметрами справедлива для любой схемы включения транзистора.  [19]

Добавочный индекс э в / i-параметрах указывает на то, что параметры транзистора измерены при его включении по схеме с общим эмиттером. Коэффициент / 121Э является статическим коэффициентом передачи тока биполярного транзистора при его включении по схеме с общим эмиттером.  [20]

В отличие от первичных параметров / i-параметры легко измерить экспериментально или найти с помощью статических характеристик. Для этого используют приведенные выше соотношения, определяющие связь / i-параметров с входными и выходными токами и напряжениями при различных способах включения.  [21]

По известным у - и / i-параметрам усилительного прибора может быть построена его эквивалентная электрическая схема, характеризующаяся той же системой параметров, что и усилительный прибор. При замене в схеме усилителя реального усилительного прибора его эквивалентной схемой не будут изменяться величины всех токов и напряжений. Из бесконечно большого числа возможных эквивалентных схем усилительного прибора используются наиболее простые, обеспечивающие максимальные удобства при анализе.  [22]

23 Схемы составного р-п - р транзистора. a - принципиальная. б - эквивалентная. [23]

Оба транзистора заменяются эквивалентными схемами для / i-параметров.  [24]

В справочниках, как правило, даются / i-параметры для одного типового режима, как говорят, для режима измерения, например для / э 1 мА и t / к-э - 5 В, Эти сведения дополняют графиками, которые показывают относительные изменения Л - параметров в зависимости от коллекторного тока ( рис. 1 - 23, а), коллекторного напряжения ( рис. 1 - 23, б) и температуры ( рис. 1 - 23, в) для данного класса полупроводниковых триодов.  [25]

26 Эквивалентная схема для h - параметров. [26]

Индексы э обозначают то, что рассматриваются / i-параметры, соответствующие включению транзистора с общим эмиттером.  [27]

В новейших справочниках по полупроводниковым приборам приводятся / i-параметры. Эти параметры характеризуют транзистор при малых изменениях токов и напряжений. Если рассматривать транзистор, включенный по схеме с общим эмиттером, как активный четырехполюсник, то / i-параметры для него определяются по входным и выходным токам и апряжениям следующим образом.  [28]

Для определения параметров четырехполюсника обычно используется система / i-параметров, в которой измерение параметров по переменному току производится при разомкнутом входе ( режим холостого хода) и при замкнутом выходе.  [29]

Так как в литературе по транзисторам часто встречается система / i-параметров для схемы с общим эмиттером, а в справочниках - система / i-параметров для схемы с общей базой, целесообразно привести формулы перехода от одной системы параметров к другой.  [30]



Страницы:      1    2    3    4