Перечисленная гипотеза

Cтраница 2

Рассмотрим подробнее каждую из перечисленных гипотез. Представление о том, что концентрация носителей тока в кристалле может увеличиваться за счет смещения противоположно заряженных ионов под действием электрического поля к граням кристалла ( аналогично первой гипотезе), было высказано еще А. Ф. Иоффе [90] в связи с изучением электропроводности кварца. Его рассуждения сводятся к следующему. В отсутствие электрического поля вследствие теплового движения непрерывно происходит образование и рекомбинация противоположно заряженных носителей тока, в результате чего устанавливается равновесная концентрация носителей. Поле смещает ионы разных знаков к соответствующим электродам, где вероятность рекомбинации их уменьшена, поскольку концентрации положительных и отрицательных ионов оказываются различными. В средней части кристалла взамен ушедших ионов рождаются новые носители тока вследствие теплового движения, и в результате суммарная концентрация носителей тока по всему кристаллу увеличивается. В опытах А. Ф. Иоффе это обнаруживалось по резкому повышению электропроводности кварца ( в 4 раза) при перемене полярности приложенного напряжения, когда ионы, сконцентрированные у электродов, распределялись по всему кристаллу. [16]

Теория оболочек, основанная на перечисленных гипотезах, была разработана А. Сами эти гипотезы получили в литературе название гипотез Кирхгоффа-Лява. [17]

Теория оболочек, основанная на перечисленных гипотезах, была разработана А Лявом. Сами эти гипотезы в литературе получили название гипотез Кирхгофа-Лява. Исходные уравнения моментной теории оболочек могут быть получены как частный случай общей теории оболочек. [18]

Схема ориентации компонент напряжений в полимерном связующем, возникающих при поперечном нагружении. [19]

Аналитические зависимости, составленные на основе перечисленных гипотез, образуют систему линейных алгебраических уравнений относительно компонент деформаций и напряжений в полимерном связующем и в волокнах. [20]

Из сказанного выше следует, что все перечисленные гипотезы не противоречат, а скорее дополняют одна другую. В одних случаях зона возникновения трещин расположена у поверхности, в других - в толще материала детали. До сих пор остается неясным, возникают ли усталостные трещины как результат сложения остаточных напряжений в материале и напряжений от внешних нагрузок или усталостные трещины являются результатом увеличения и развития микротрещин, существовавших в материале до нагружения. [21]

Кроме того, предложен ряд моделей; являющихся комбинацией перечисленных гипотез. [22]

Конечно, это не полный список исходных гипотез, и не все из перечисленных гипотез являются независимыми, но физическая суть фрид-мановских моделей здесь отражена. [23]

При проектировании конкретного прибора управления в зависимости от тактико-технических данных предполагаемых целей и назначения прибора ( его допустимой сложности) применяется одна из перечисленных гипотез. Иногда в приборе предусматривается возможность изменения гипотезы в процессе определения упрежденной точки в зависимости от реального закона движения цели, например при равномерном движении цели используется вторая гипотеза, а при маневре цели курсом - - третья. [24]

В любой точке внутри проводника результирующая сила действия всего поверхностного слоя равна нулю. Чтобы математически выразить перечисленные гипотезы и построить расчетный аппарат, Пуассон вводит функцию, названную впоследствии потенциалом. [25]

Схема нагружения стержней. [26]

Возможность использования перечисленных гипотез цля однородных изотропных материалов проверена многолетней практикой. Для рассматриваемых материалов, к сожалению, отсутствуют четко сформулированные оценки границ применимости перечисленных гипотез. [27]

Ниже принимаются только первая и вторая гипотезы. Некоторые из перечисленных гипотез представляются сомнительными, в частности: замена вязкоупругой задачи упругой, тем более статической, при определении функции источников тепла; условие несжимаемости материала. [28]

Для исследования вторичной крирталлизации были предложены различные методы, однако ни один из них не является удовлетворительным в полной мере. Существует по крайней мере две точки зрения по поводу механизма кристаллизации внутри сферолита и повышения его плотности. Тем не менее, до настоящего времени перечисленные гипотезы не нашли достаточно убедительного подтверждения и, таким образом, выяснение механизма этого явления является задачей будущих исследований. [29]

Страницы: 1 2