Статическое искажение - решетка
Cтраница 1
Статические искажения решетки определяются параметрами размерного несоответствия и различием в модулях упругости растворяемого элемента и металла растворителя. Из анализа этих параметров, рассмотренных выше, следует, что большие статические искажения должны создавать железо, никель, марганец, молибден, хром, кобальт, меньшие олово, ванадий, цирконий, кремний, алюминий и очень небольшие тантал и ниобий. [1]
 |
Зависимость у н8 и UQ от температуры отжига для карбонильного железа. [2] |
С статические искажения решетки быстро снимаются. [3]
С повышением температуры роль статических искажений решетки уменьшается, а влияние сил связи возрастает. При достаточно высоких температурах ( выше 0 4 Гпл) жаропрочные свойства сплавов определяются в основном силами сцепления и связанными с ними, хотя и неоднозначно, скоростями диффузионных процессов. [4]
Цирконий повышает жаропрочные свойства титановых сплавов, обеспечивая упрочнение титана ( хотя и небольшое) из-за статических искажений решетки, не снижая силы связи. [5]
Следует ожидать, что деформационное взаимодействие примесных атомов будет особенно значительным в случае растворов внедрения, когда атомы примеси располагаются в междоузлиях решетки матрицы и поэтому вызывают особенно значительные статические искажения решетки. [6]
 |
Влияние наклепа меди на ее изнашивание. [7] |
Так как пластическая деформация и обусловленное ею изменение структурного состояния не оказывают влияния на сопротивление изнашивания, то можно полагать, что в процессе разрушения металла абразивными зернами мы сталкиваемся с такими статическими искажениями решетки и такими изменениями тонкой структуры, при кото рых достигается более высокая степень использования прочности межатомных связей. [8]
Увеличение при облучении доли антипараллельной компоненты флуктуации потенциала может быть обусловлено следующими причинами. При фотостимулированной генерации злектронно-дырочнои пары, происходящей, по-видимому, в одном структурном узле, происходит локальное статическое искажение решетки вблизи возникших электрона и дырки. Эти искажения препятствуют рекомбинации вновь образовавшейся злектронно-дырочнои пары и приводят к локальному повышению потолка валентной зоны и снижению дна зоны проводимости, что, согласно данным рис. 2.2.4, соответствует случаю антипараллельных флуктуации потенциала. Наряду с этим прямым процессом усиления антипараллельной компоненты флуктуации потенциала в материале равноправно протекает и обратный процесс, заключающийся в медленном изменении метастабильных антипараллельных флуктуации и в постепенном формировании параллельных флуктуации при непрерывном освещении образца. [9]
Увеличение при облучении доли антипараллельной компоненты флуктуации потенциала может быть обусловлено следующими причинами. При фотостимулированной генерации электронно-дырочной пары, происходящей, по-видимому, в одном структурном узле, происходит локальное статическое искажение решетки вблизи возникших электрона и дырки. Эти искажения препятствуют рекомбинации вновь образовавшейся электронно-дырочной пары и приводят к локальному повышению потолка валентной зоны и снижению дна зоны проводимости, что, согласно данным рис. 2.2.4, соответствует случаю антипараллельных флуктуации потенциала. [10]
Постоянная ( dEnk / dRj) просто выражает сдвиг энергии электронной зоны вследствие статического смещения атомов. Такая деформация приводит к изменению энергий электронов в разных точках зоны Бриллюэна. Параметры, описывающие эти изменения, индуцированные статическими искажениями решетки, называются деформационными потенциалами. Таким образом, коэффициент 9Еп / дИ3 связан с деформационными потенциалами кристалла. Теперь мы подробно рассмотрим, как электрон-фононные взаимодействия в полупроводниках выражаются через деформационные потенциалы. [11]
Таким образом, если связывающая и разрыхляющиеся зоны не перекрываются, то периодическое искажение решетки, период которого равен 2с, приведет к переходу системы в состояние диэлектрика. Перекрытие зон означало бы, что энергия взаимодействия молекул различных димеров сравнима с энергией взаимодействия молекул внутри одного и того же димера. Данный тип неустойчивости называется пайерлсовской неустойчивостью ( или неустойчивостью Пайерлса - Фрелиха), которую можно рассматривать, как неустойчивость по отношению к локализации электронов, вызванной статическим искажением решетки. Эта неустойчивость весьма отличается от неустойчивости Мотта, когда локализация электронов возникает из-за сильного электрон-электронного отталкивательного взаимодействия ( см. разд. [12]
 |
Влияние углерода ( а и легирующих элементов ( б на мартенситные точки. [13] |
В высоко - и среднеуг-леродистых сталях кристаллы мартенсита имеют форму линзовидных пластин ( игл в плоскости шлифа), образующих фермоподобные ансамбли. В малоуглеродистых сталях мартенситные кристаллы представляют собой рейки, ориентированные в одном направлении и собранные в пакеты. Каждый кристалл мартенсита состоит из блоков, размеры которых меньше, чем в исходном аустените. Границы мартен-ситных кристаллов и блоков, а также статические искажения решетки от присутствия углерода являются препятствиями для движения дислокаций. [14]
Страницы: 1