Температурный гистерезис

Cтраница 3

Однако обратимость мартенситного превращения сопровождается температурным гистерезисом следующего типа. Обозначим через TQ температуру равновесия фаз. В реальном образце при охлаждении мартенситное превращение начинается при некоторой температуре TM, которая ниже То ( Тм Т0) и зависит от структуры образца, в частности от размеров и взаимного расположения мартенситных включений. [31]

Таким образом, кристаллические полимеры обнаруживают температурный гистерезис, обусловленный замедленной кинетикой кристаллизации. [32]

Критический рост концентрации свободных носителей заряда и температурный гистерезис при переходе пз диэлектрической фазы в металлическую м-г 1 быть объяснены в модели эксптонного диэлектрика. Как было показано Моттом, электронный спектр кристалла с небольшим перекрытием двух зон подобен полуметаллу, что способствует локализации электронно-дырочных пар в виде экситонов. Их образование в кристаллической решетке повышает поляризуемость, электронная составляющая которой пропорциональна кубу рассто - Я ] - ия электрона от положительного заряда. С изменением поляризуемости изменяется и фононный спектр кристалла, поскольку возрастает его диэлектрическая проницаемость. [33]

На кривых деформации при нагреве и охлаждении появляется петля температурного гистерезиса деформации. [34]

Зависимость угла загиба и относительного удлинения технического титана ВТ1 - 1М и сплава ОТ4 - 1М от температуры предварительного нагрева на воздухе в течение 15 мин. Испытание угла загиба проводили при 20 С, а удлинения при 20 С ( / и 500 С ( 2. Пунктир - граница грубозернистой структуры и газонасыщенного слоя на поверхности. [35]

Поэтому превращение а Р протекает с малым объемным эффектом и температурным гистерезисом. [36]

Фазовая диаграмма системы KNb03 - KTaO3. [37]

Следует отметить, что в кристаллах КТН температура Кюри и величина температурного гистерезиса уменьшаются, а значение диэлектрической проницаемости увеличивается с увеличением процентного содержания танталата калия. [38]

График температурного ( С гистерезиса стальной меры. [39]

В связи с тем что наблюдения проводились относительным методом, полученная величина температурного гистерезиса представляет собой разность между величиной гистерезиса для стальной меры и эталона. [40]

Изменение интенсивности излучения свечения ZnS CdS. [41]

Для ZnS-CdS - фосфоров, имеющих смешанное основание, обнаруживаются интересные явления температурного гистерезиса свечения: при нагревании фосфора, находящегося под возбуждением, изменение яркости его свечения протекает по одной кривой, при последующем охлаждении идет по другой кривой. Цикл может быть повторен несколько раз. [42]

Зависимость электрического сопротивления терморезистора на основе.| Зависимость электрического сопротивления терморезистора на основе ВаТЮз от температуры. [43]

Из рис. 7.11 следует, что зависимость RR ( T) обладает температурным гистерезисом: при одних и тех же температурах объемные концентрации т г и т металлической фазы при увеличении и уменьшении температуры различны. [44]

Все данные были получены в режиме возрастания температуры образцов, причем для устранения температурного гистерезиса при повторных циклах динамического режима термостата исходная температура образца всегда выбиралась на 20 - 30 ниже температуры соответствующего фазового перехода. Скорость изменения температуры выбиралась из условия получения допустимого ( 0 05) градиента температур по высоте образца и в начале каждого цикла соответствовала величине 0 1 в мин. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5