Механический гистерезис

Cтраница 1

Графическое пояснение возникновения напряжений и деформации биметаллической пластинки при ее нагревании. [1]

Механический гистерезис отсутствует, если деформация материала точно следует изменению механического напряжения, без неупругой или пластической деформации. [2]

Механический гистерезис, как и ползучесть, обусловлен упругим несовершенством основы и клея и численно определяется как приведенная ко входу разность значений выходного сопротивления для одного и того же значения деформации при условии, что данное значение деформации достигается при плавном ее возрастании и плавном уменьшении. [3]

Нагрев за счет механического гистерезиса применяют в экспериментах с низкочастотным циклическим нагружением образцов. Этот процесс является относительно слабоэнергетическим и пригоден в исследованиях по анализу разрушения материалов. [4]

Датчик линейных ускорений.| Сильфонный датчик давления с компенсационным элементом. [5]

Для уменьшения влияния механического гистерезиса материала стенок сильфона приходится применять достаточно жесткие противодействующие пружины в элементе, на который воздействует датчик давления. Если пренебрегать зоной гистерезиса, то зависимость перемещения от давления для сильфонов может полагаться линейной. Действие сильфона в системах регулирования давления обычно полагают безынерционным. [6]

Изменение показаний прибора МПК-2 в условных единицах от величины растягивающих напряжений на частоте 25 кгц. [7]

При разгрузке имеет место механический гистерезис, так как кривые ai / ( oB) не совпадают. [8]

Недостатком тензолитовых преобразователей является значительный механический гистерезис. [9]

Влияние остаточных деформаций и механического гистерезиса достигает 2 % и выше. [10]

Схема жидкостного демпфирующего устройства.| Схема демпфирующего и стабилизирующего устройства, предложенная Д. Е. Охоцимским.| Схема демпфирующего устройства, использующего спиральную пружину. [11]

Эффект демпфирования достигается при механическом гистерезисе внутри кадмиевого слоя пружины. Данное устройство способно обеспечить демпфирование возмущений за время, эквивалентное 20 орбитам. [12]

Дополнительный вклад в упрочнение вносит повышенный механический гистерезис, обусловленный снижением подвижности макромолекул у поверхности наполнителя и разрушением связей полимер-наполнитель и наполнитель - наполнитель. [13]

Недостатком угольных и тензолитных преобразователей является значительный механический гистерезис, который приводит к тому, что кривая зависимости сопротивления от измеряемой величины Rf ( F), снятая при возрастании измеряемой величины, отличается от такой же кривой, снятой при ее уменьшении. [14]

Тензометрические датчики. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5