Cтраница 1
![]() |
Гистограмма рас - 5 пределения содержания влаги и летучих в пресс-мате - § риале П-5-2. 7. - s. [1] |
Гистограмма распределения показана на рис. 3.3. Установлена также слабая отрицательная корреляция между содержанием влаги и летучих и прочностью при изгибе. Однако проверка по критерию t показывает, что гипотеза о значимости этой связи не может быть принята. [2]
![]() |
Статистические характеристики транзистора. [3] |
Гистограмма распределения по результатам измерений на партии из 50 транзисторов представлена на рис. 2.3. Результаты вычислений сведены в табл. 2.1. Гистограмма параметра г и график зависимости г ( В) представлены на рис. 2.3. Табл. [4]
Гистограмма распределения состоит из прямоугольников, построенных на промежутках Дл:, площади которых пропорциональны числам значении случайной величины, приходящимся на данный промежуток. При одинаковой ширине промежутков высоты прямоугольников пропорциональны частотам. [5]
![]() |
Полигон распределе - вальных изменений. В этом ния значений X. - случае ординаты, пропор. [6] |
Гистограмма распределения строится обычно для интервального изменения значения параметра. [7]
Гистограмма распределения состоит из прямоугольников, построенных на промежутках Дя, площади которых пропорциональны числам значений случайной величины, приходящимся на данный промежуток. При одинаковой ширине промежутков высоты прямоугольников пропорциональны частотам. [8]
Гистограмма распределения имеет 27 столбцов. Для большей наглядности плотность вероятности приведена не в виде гистограммы, а как плавная линия, проходящая через середины интервалов разбиения. [9]
Гистограмма распределения строится аналогично полигону в прямоугольной системе координат. В отличие от полигона при построении гистограммы на оси абсцисс берутся не точки, а отрезки, изображающие интервал, а вместо ординат, соответствующих частотам или частостям отдельных вариантов, строят прямоугольники с высотой, пропорциональной частотам или частостям интервала. [10]
Гистограммы распределения структур по заряду, инжектированному до пробоя, построены для МДП-структур из главного пика гистограммы распределения по напряжению микропробоя. Построение таких совмещенных гистограмм наглядно показывает как характеристики дефектности изоляции диэлектрика МДП-структур, так и характеристики дефектности зарядовой стабильности и комплексно характеризуют качество подзатворного диэлектрика. [11]
Гистограммы распределения вероятностей значений С2 по данным микропульсационных и оптических измерений для дневных условий приведены на рис. 9.9. Смещение в сторону больших значений С2 распределения, соответствующего оптическим измерениям ( ср. [12]
Гистограмма распределения числа событий с m 3 1 по магнитуде показана на рис. 12.4. Гистограмма напоминает экспоненциальное распределение. [14]
Гистограммы распределений среднего числа отсчетов за 10 и - 40 с для наглядности следует строить на одном графике. При этом для второго распределения цена деления по оси абсцисс должна быть увеличена в 4 раза, чтобы положения максимумов распределений совпадали. [15]