Cтраница 4
Назначение последующих глав - более полно раскрыть содержание гл. В свою очередь, тематике этих глав будут посвящены отдельные тома издаваемой серии. [46]
Материал последующих глав ( описание термоэлектрических и контактных явлений) не может быть изложен в более или менее строгой и понятной форме, если мы не будем знать, как распределяются электроны по энергиям. Именно этому вопросу и посвящена в основном настоящая глава. [47]
Задачи последующих глав являются в основном оригинальными и до некоторой степени дополняют литературу по теоретическим аспектам квантовой химии. В них широко используется аппарат теории групп, позволяющий получать некоторые общие результаты и упрощать - вычисления на основе анализа симметрии строения молекулы. [48]
Из последующих глав вы узнаете, почему совет Ходи в школу, найди себе работу, трудись в поте лица, откладывай деньги, делай взносы в свой пенсионный план 401 ( k) может оказаться самым худшим советом с точки зрения налогов. На каждом из этих этапов жизни данный совет подразумевает труд за 50-процентные деньги. Мой бедный папа был беден, потому что это был единственный совет, который он мог дать себе и своим детям. [49]
В последующей главе будут изложены методы атомного или элементного анализа, включая атомно-эмиссионную, - абсорбционную и - флуоресцентную пламенную спектрометрию, где также используют ультрафиолетовое или видимое излучение. Сверх того в специальном разделе будет описано использование электрических разрядов - дуги и искры, применяемых в качестве источников излучения в элементном анализе. [50]
В последующей главе мы введем новый параметр-сопротивление базы гь. Этот параметр в тетродах имеет значительно меньшую величину, чем в триодах. Это уменьшение величины сопротивления базы значительно улучшает частотные характеристики прибора и уменьшает положительную обратную связь между базовым контактом и эмиттерным переходом. Сопротивление базы плоскостных транзисторов можно рассматривать как некоторое введенное во внешнюю цепь эквивалентное сопротивление, которое соответствует внутреннему сопротивлению для тока, представляющего собой поток носителей от эмиттера к коллектору. [51]