Местное искажение - решетка
Cтраница 1
 |
Схемы дислокаций. [1] |
Местные искажения решетки наступают при приложении внешних нагрузок, а также в зонах действия внутренних напряжений. Возникновение дислокаций может вызвать появление новых дислокаций на смежных участках. [2]
Местные искажения решетки наступают при приложении внешних нагрузок, а также в зонах действия внутренних напряжений. Возникновение Дислокаций может вызвать появление новых дислокаций на смежных участках. [3]
Такое расхождение между теоретическим и действительным сопротивлением сдвигу в кристаллах объясняется тем, что переход атомов из одного положения в другое совершается не одновременно, а во времени, подобно волне, с местными искажениями решетки, называемыми дислокациями. [4]
Причины возникновения дислокаций многообразны. Местные искажения решетки наступают при приложении внешних нагрузок, а также в зонах действия внутренних напряжений. [5]
Так как с ростом степени пластического деформирования число дислокаций в кристалле увеличивается, то увеличивается и число препятствий, возникающих в местах пересечения дислокаций. Поэтому рост степени деформации сопровождается упрочнением кристалла. Подобное же действие оказывают и атомы примеси: вызывая местные искажения решетки, они затрудняют перемещение дислокаций и тем самым увеличивают сопротивление кристалла сдвигу. Особенно сильное тормозящее действие оказывают границы блоков, границы зерен и обособленные включения, содержащиеся в решетке. Они резко увеличивают сопротивление перемещению дислокаций и для своего преодоления требуют более высоких напряжений. [6]
Представляется поэтому, что в молекулярных кристаллах существуют уровни, лежащие ниже, чем низший уровень экситона, проявляющийся в его полосе. Далее, эти уровни не являются даже уровнями экситонного типа, а должны быть связаны с отдельными молекулами или с сильно локализованным ансамблем молекул, что очевидно из их хорошо развитой колебательной структуры. Свободно перемещающийся делокализованный экси-тон при взаимодействии с колебаниями решетки ( фононами) затрачивает часть своей энергии на местное искажение решетки. Это превращение энергии вызывает возмущение уровней энергии соседних молекул, смещая их вниз, и энергия экситона оказывается захваченной локализованной группой молекул вокруг дефекта решетки. Энергия остается надежно захваченной этой потенциальной ямой до тех пор, пока не будет удалена при флуоресценции, что объясняет, таким образом, происхождение наблюдаемых низко лежащих флуоресцентных уровней. [7]
Последний убедительно показал, что образование локальных искажений кристаллической решетки вносит известную условность в расчет энергии активации процессов, протекающих в твердых фазах. В частности, в случае каталитических реакций, протекающих на поверхности твердого тела, измеряемая кажущаяся энергия активации процесса должна включать в себя в виде одного из слагаемых энергию, затрачиваемую на создание локального искажения структуры поверхностного слоя катализатора. Энергия, которой должен обладать атом в кристаллической решетке, чтобы осуществить элементарный акт, определяется энергией такого местного искажения решетки. [8]
Точные теоретические расчеты, основанные на подобной картине деформации, позволяют определить максимальные касательные напряжения, которые должны возникнуть в кристалле, чтобы появилась пластическая деформация. В действительности она начинает образовываться при напряжениях в сотни раз меньших, чем дает теория. Такое расхождение между теоретическим и действительным сопротивлением сдвигу в кристаллах объясняется тем, что переход атомов из одного положения в другое совершается не одновременно, а во времени, подобно волне, с местными искажениями решетки, называемыми дислокациями. [9]
Реальные кристаллы значительно сложнее рассмотренных выше моделей. Кристаллическая решетка реальных веществ имеет многочисленные дефекты. Одним из источников искажения решетки являются тепловые колебания атомов ( ионов), определяющие тепловую энергию кристалла. Другой причиной искажения решетки является наличие посторонних атомов либо в виде загрязнений, либо в виде легирующих элементов. Если размеры атомов основы и примесей отличаются друг от друга, то они будут вызывать местные искажения решетки, которые повлекут изменения физических свойств кристаллов. [10]
Страницы: 1