Местное искажение - кристаллическая решетка
Cтраница 1
Местные искажения кристаллической решетки в зонах дислокаций приводят к возникновению локальных самоуравновешенных полей усилий в межатомных связях с накоплением соответствующей потенциальной энергии. При достаточном сближении двух или более дислокаций, скользящих в пересекающихся плоскостях, зоны местных искажений кристаллической решетки и соответствующих местных усилий перекрываются, причем, если в результате этого перекрытия общая потенциальная энергия возрастает, то возникают силы отталкивания, препятствующие сближению дислокаций, что создает сопротивление их скольжению и ведет к упрочнению материала. Если же общая потенциальная энергия в результате объединения дислокаций убывает, то возникают силы притяжения, и такие разнозначные дислокации частично или полностью друг друга нейтрализуют. В реальных кристаллах плоскости скольжения множества дислокаций распределяются неравномерно, группируясь в пачки, которые образуют так называемые полосы скольжения, являющиеся зонами интенсивных макроскопических деформаций сдвига. Между этими полосами остаются слои материала, не испытывающего пластических сдвигов. [1]
Местное искажение кристаллической решетки, вызванное наличием в ней атомной полуплоскости, и называется краевой дислокацией. [2]
 |
Схемы точечных дефектов в кристаллах. [3] |
Точечные дефекты вызывают местные искажения кристаллической решетки, которые затухают достаточно быстро по мере удаления от дефекта. Точечные дефекты появляются чаще всего вследствие тепловых колебаний атомов. Некоторые атомы, обладающие повышенной энергией, при этих колебаниях перемещаются из одного места в другое, создавая вакансии и внедренные атомы. Поскольку амплитуда колебаний атомов сильно увеличивается с повышением температуры, концентрация точечных дефектов значительно повышается при нагреве, особенно вблизи температуры плавления. Точечные дефекты не являются неподвижными, они непрерывно перемещаются в кристаллической решетке. [4]
 |
Виды точечных дефектов. вакансия ( а, замещенный атом ( 6 и внедренный атом ( с. [5] |
Точечные дефекты вызывают местное искажение кристаллической решетки. Смещения вокруг вакансии возникают в первых двух - трех слоях соседних атомов и составляют доли межатомного расстояния. Вокруг межу-зельного атома смещение соседей значительно больше, чем вокруг вакансий. [6]
 |
Виды точечных дефектов. вакансия ( а. замещенный атом ( б. внедренный атом ( с. [7] |
Точечные дефекты вызывают местное искажение кристаллической решетки. Смещение вокруг вакансии возникают в первый двух - трех слоях соседних атомов и составляют доли межатомного расстояния. Вокруг межу-зельного атома смещение соседей значительно больше, чем вокруг вакансий. [8]
 |
Схема тонкой фрагмента. [9] |
На рис. 6 показана краевая дислокация, представляющая собой местное искажение кристаллической решетки, причиной которого явилась лишняя полуплоскость атомов, так называемая экстраплоскость. Краевая дислокация простирается в длину на тысячи атомных рядов. Краевая дислокация может быть прямой, а может изгибаться в ту или другую сторону. [10]
Наибольшая трудность для магнитотвердых материалов обусловливается получением высокой коэрцитивной силы Нс, повышению которой способствуют внутренние напряжения третьего рода, уравновешивающиеся в объемах порядка одной элементарной кристаллической ячейки, вызывающие местные искажения кристаллической решетки и неоднородность структуры. [11]
 |
Искажение параметров действуют с соседними атомами кристаллической решетки вблизи свободной поверхности, а также поверхности. с атомами, расположенными внутри. [12] |
Структура металла в слоях, прилегающих к свободной поверхности, будет искажена. Всякое местное искажение кристаллической решетки связано с приростом энергии, вследствие чего любая свободная поверхность кристалла обладает некоторым запасом поверхностной энергии. Величина последней может быть оценена работой, необходимой для образования единицы новой поверхности, например, при разрушении твердого тела. Поверхностная энергия играет существенную роль в некоторых видах сварки, при адсорбции и других процессах. [13]
В настоящее время значительное распространение получила гипотеза, объясняющая процесс скольжения перемещением, в плоскости скольжения отдельных несовершенств пространственной решетки - дислокаций. Дислокацией называется местное искажение кристаллической решетки, при котором вследствие различия числа атомов в смежных параллельных плоскостях часть атомов, расположенных по одну сторону от плоскости скольжения, имеет уменьшенные межатомные расстояния, а другая часть атомов, расположенных с противоположной стороны от плоскости скольжения, имеет увеличенные межатомные расстояния. [14]
Пространство между узлами в решетке мало, поэтому для внедрения атома в междуузлия необходимо сообщить ему значительную кинетическую энергию. Процесс внедрения атомов в междуузлие сопровождается местным искажением кристаллической решетки. [15]
Страницы: 1 2