Cтраница 1
Гликсман [63] показал, что если тензор времен релаксации имеет ту же симметрию, что и тензор эффективных масс, то под параметром анизотропии кристалла следует понимать эффективную величину, равную К Кт / К. Это как раз справедливо для германия и кремния электронного типа проводимости. В общем случае существует зависимость между Кт и / Ст, вскрытая в работах Самойловича с сотрудниками и рассмотренная нами в предыдущем параграфе этой главы. [1]
Гликсман и Вайзер [23] пытались определить величину эффективной массы дырок в фосфиде индия с помощью электрических измерений на материале р-типа. По температурной зависимости коэффициента Холла они установили, что для акцепторов энергия активации равна примерно 0 05 эв. [2]
Эрир и Гликсман [28] измерили одномерный профиль температуры и плотность теплового потока в слое расплавленного стекла, заключенном между двумя керамическими пластинами с платиновыми обкладками. [3]
Не без некоторой аналогии с газообразной плазмой Гликсман и Стиле [275 ] показали, что в плазмах, созданных за период времени запирания InSb, наблюдались явления захвата в магнитных полях ( см. пунктирные линии рис. 92) Эти микроплазмы, связанные с запиранием, можно сблизить с теми, которые ведут свое начало от сильного инжектирования носителей зарядов, начиная от перехода, поляризованного в прямом направлении; коммутация таких плазм из одной цепи в другую была выполнена в InSb. [4]
Измерения магнетосопротивления также согласуются с представлением озоне проводимости имеющей вблизи минимума сферическую форму. Гликсман [22] установил, что в арсениде галлия л-типа с концентрацией электронов 4 - Ю17 слг3 при комнатной температуре наблюдается изотропное поперечное магнетосопротивле-ние и весьма небольшое продольное. [5]
Движение частиц в пристенной области, а следовательно, и тепло - обмен, сильно зависят от наличия различного рода неровностей стенки и других факторов, нарушающих пристенную гидродинамику. Например, Гликсман [19] сообщает, что даже небольшой выступ ( шириной всего 0 4 мм) на стене стояка площадью 33 6x33 6 мм2 заметно увеличивает концентрацию частиц выше его. По-видимому, он отклоняет ссыпающиеся вдоль стен частицы и их снова подхватывает поток. Выступы, занимающие всего 10 % поперечного сечения, установленные недалеко от выхода из стояка, увеличивают концентрацию на выходном участке в 4 раза. Примерно пропорционально изменению концентрации меняется и интенсивность теплообмена. [6]
Для магниевых элементов с органическими веществами характерны недостатки, присущие всем магниевым элементам - наличие периода пониженного напряжения при включении нагрузки и довольно значительная коррозия магниевого анода, сопровождающаяся выделением водорода, при легких прерывистых нагрузках. Морхаус и Гликсман объясняют это повышенным в таких режимах расходом воды на непроизводительную коррозию магния, который приводит к изменению концентрации электролита и ухудшению при этом работы катода. [7]
Влияние кинетических явлений на поверхности раздела фаз в рамках задачи Стефана исследовал Любов [86]; он рассмотрел, как отражается на одномерных тепловых потоках охлаждение поверхности раздела кристалл - расплав до температуры ниже точки плавления. Чернов и Любов [87], а также Гликсман и Шефер [88] исследовали кристаллизацию сферы, учитывая при этом кинетические явления на границе фаз. [8]
Измерения магниторезистивного эффекта при комнатной температуре в GaAs [37, 38, 49] показали, что продольный эффект в нем исключительно мал, а величина поперечного эффекта пропорциональна квадрату напряженности магнитного поля вплоть до полей 10000 эрстед. Гликсман [49] предположил, что это связано со слабой зависимостью процессов рассеяния от энергии, но Виллардсон и Дьюгэй [106] показали, что незначительное примесное рассеяние может привести к сильному уменьшению магниторезистивных эффектов. Они применяли в своих исследованиях более чистый GaAs, чем у других авторов, и наблюдавшиеся ими эффекты были больше; так, например, в образце, имевшем при комнатной температуре подвижность 6900 см2 / в сек и концентрацию электронов 4 1015 см-3, Ар / ро достигало почти 2 % при 10000 эрстед. Следует заметить, что измерения Виллардсона и Дьюгэя были выполнены на образцах GaAs в форме мостов. Гликсман в ходе своих экспериментов установил, что при использовании этой формы может возникнуть ложный магниторезистивный эффект, достигающий примерно 0 3 % при 10000 эрстед. [9]
При последующем уменьшении скорости от этой бесконечной величины поток ослабевает, приводя к некоторым высоким ( положительным) давлениям, откуда следует неприменимость предположения о несжимаемости жидкости. Совершенно иным оказался характер изменения давления при кристаллизации цилиндра и шара: давление около кристаллов такой формы может принимать отрицательные значения, что может привести к кавитации и зарождению новых центров кристаллизации. Подобные динамические явления исследованы также Гликсманом [85] преимущественно для больших скоростей кристаллизации ( см. также гл. [10]
Эти величины соответствуют холловской подвижности цн 1570 см2 / в-сек. Видно, что в направлении [100] продольный эффект магнитосопротивления мал, но не равен точно нулю. Определенная из этих измерений величина К равна 5 5, что хорошо согласуется с величиной К, полученной из циклотронного резонанса. Гликсман определил также значения коэффициентов магнитосопротивления для сплавов германий - кремний. [11]
Результаты вычислений третьего типа качественно согласуются с результатами вычислений первого и второго типов. При образовании твердых растворов замещения отдельные атомы не обязательно дают изолированные примесные уровни; скорее, их присутствие выражается в некотором изменении ширины запрещенной зоны. Расчеты третьего типа указывают на уменьшение электронной плотности на границе зоны, эквивалентное уменьшению эффективной массы или увеличению подвижности. Однако, как отметили Герман, Гликсман и Парментер, этот эффект маскируется дополнительным рассеянием, обусловленным разностью между потенциалами атомов различного сорта, из которых состоит твердый раствор. [12]
Измерения магниторезистивного эффекта при комнатной температуре в GaAs [37, 38, 49] показали, что продольный эффект в нем исключительно мал, а величина поперечного эффекта пропорциональна квадрату напряженности магнитного поля вплоть до полей 10000 эрстед. Гликсман [49] предположил, что это связано со слабой зависимостью процессов рассеяния от энергии, но Виллардсон и Дьюгэй [106] показали, что незначительное примесное рассеяние может привести к сильному уменьшению магниторезистивных эффектов. Они применяли в своих исследованиях более чистый GaAs, чем у других авторов, и наблюдавшиеся ими эффекты были больше; так, например, в образце, имевшем при комнатной температуре подвижность 6900 см2 / в сек и концентрацию электронов 4 1015 см-3, Ар / ро достигало почти 2 % при 10000 эрстед. Следует заметить, что измерения Виллардсона и Дьюгэя были выполнены на образцах GaAs в форме мостов. Гликсман в ходе своих экспериментов установил, что при использовании этой формы может возникнуть ложный магниторезистивный эффект, достигающий примерно 0 3 % при 10000 эрстед. [13]
Наконец, в третьей группе расчетов [175-177, 181] на твердые растворы полупроводников был распространен метод Норд-гейма [165], разработанный для случая твердых растворов металлов. Хотя для анализа свойств твердых растворов нельзя использовать теорию возмущений, она может, однако, быть применена, если в качестве нулевого приближения ввести в рассмотрение виртуальный периодический потенциал; тогда остающаяся ( непериодическая) часть потенциала любого твердого раствора допускает рассмотрение этого вопроса в рамках этой теории. Третья группа расчетов позволяет построить количественную теорию свойств полупроводников в системе непрерывных твердых растворов замещения. На ее основе были проанализированы свойства системы германий-кремний. Результаты вычислений третьего типа качественно согласуются с результатами вычислений первого и второго типов. При образовании твердых растворов замещения отдельные атомы не обязательно дают изолированные примесные уровни; скорее, их присутствие выражается в некотором изменении ширины запрещенной зоны. Расчеты третьего типа указывают на уменьшение электронной - плотности на границе зоны, эквивалентное уменьшению эффективной массы или увеличению подвижности. Однако, как отметили Герман, Гликсман и Парментер, этот эффект маскируется дополнительным рассеянием, обусловленным разностью между потенциалами атомов различного сорта, из которых состоит твердый раствор. [14]