Глубина - легирование
Cтраница 1
 |
Общий вид выхлопного клапана ( а и микрофотография диаметрального сечения головки клапана ( б. [1] |
Глубина легирования в зависимости от режимов обработки насыщаемого и легирующего материалов может достигать, например, при насыщенаи углеродистой стали кобальтом - 1 2 мм. [2]
Поскольку коэффициент диффузии цинка зависит от концентрации цинка, то глубина легирования в значительной степени зависит от толщины окисной пленки. Из рис. 10 - 16 следует, что глубина легирования зависит от толщины окиспого слоя, даже если время проведения диффузии всего 1 час. Метод дает возможность регулировать поверхностную концентрацию, получать результаты с высокой воспроизводимостью, обеспечивает гибкость процесса селективной диффузии из твердого тела. Возможности и гибкость новой системы ярче всего проявляются при сравнении с обычными методами диффузии. На рис. 10 - 17 показана обычная последовательность процесса: выращивание маски из двуокиси кремния, вытравливание окон с применением методов фотолитографии, проведение диффузии примесей с целью образования р - - - перехода. Процесс можно провести либо обычным способом, либо изменить последовательность операций таким образом, чтобы твердый источник наносился на пластину и затем удалялся с применением метода фотолитографии с тех поверхностей, в которые нежелательно проводить диффузию, прежде чем температура пластины не будет доведена до температуры диффузии. [3]
Применение тяжелых ионов для упрочнения поверхностей ограничено проблемой достижения больших концентраций и глубин легирования. Исключением являются результаты легирования ряда сталей ионами иттрия. При дозе 5 1015 ион / см2, что соответствует концентрации порядка 0 1 ат. Предполагается образование больших асимметричных комплексов атомов иттрия и междуузельных атомов углерода, эффективно блокирующих движение дислокаций. Параллельным механизмом служит захват иттрием вакансий, что снижает скорость рекомбинации междуузлий и вакансий. В результате больше вакансий сохраняется для взаимодействия с азотом. Эффект упрочнения, аналогичный Y, оказываю. [4]
 |
Общий вид выхлопного клапана ( а и микрофотография диаметрального сечения головки клапана ( б. [5] |
В процессе плавления материала основы происходит интенсивное перемешивание его с легирующими элементами, размещенными на обрабатываемой поверхности. Глубина легирования определяется мощностью луча, его диаметром и скоростью сканирования. [6]
При постоянной С0 глубина легирования зависит только от времени проведения процесса диффузии и температуры. [7]
При малой толщине окисной пленки можно принять, что диффузия идет из конечного источника и примесный профиль описывается распределением Гаусса. На рис. 10 - 15 приведена зависимость глубины легирования от толщины окисной пленки при температуре диффузии 1000 С. При проведении диффузии в течение часа глубина легирования почти не зависит от толщины окисла. Значительное влияние толщины окисла на глубину легирования проявляется при проведении диффузии в течение 2, 4 и 8 час. Это, очевидно, можно объяснить истощением источника в процессе диффузии. [8]
В отличие от технологии обычных маломощных микросхем с диодами Шотки ( LS) технология схем ALS отличается применением ионной имплантации примесей вместо диффузии. Это дает возможность осуществлять точный контроль над глубиной легирования и разрешающей способностью. [9]
Поскольку коэффициент диффузии цинка зависит от концентрации цинка, то глубина легирования в значительной степени зависит от толщины окисной пленки. Из рис. 10 - 16 следует, что глубина легирования зависит от толщины окиспого слоя, даже если время проведения диффузии всего 1 час. Метод дает возможность регулировать поверхностную концентрацию, получать результаты с высокой воспроизводимостью, обеспечивает гибкость процесса селективной диффузии из твердого тела. Возможности и гибкость новой системы ярче всего проявляются при сравнении с обычными методами диффузии. На рис. 10 - 17 показана обычная последовательность процесса: выращивание маски из двуокиси кремния, вытравливание окон с применением методов фотолитографии, проведение диффузии примесей с целью образования р - - - перехода. Процесс можно провести либо обычным способом, либо изменить последовательность операций таким образом, чтобы твердый источник наносился на пластину и затем удалялся с применением метода фотолитографии с тех поверхностей, в которые нежелательно проводить диффузию, прежде чем температура пластины не будет доведена до температуры диффузии. [10]
При малой толщине окисной пленки можно принять, что диффузия идет из конечного источника и примесный профиль описывается распределением Гаусса. На рис. 10 - 15 приведена зависимость глубины легирования от толщины окисной пленки при температуре диффузии 1000 С. При проведении диффузии в течение часа глубина легирования почти не зависит от толщины окисла. Значительное влияние толщины окисла на глубину легирования проявляется при проведении диффузии в течение 2, 4 и 8 час. Это, очевидно, можно объяснить истощением источника в процессе диффузии. [11]
При малой толщине окисной пленки можно принять, что диффузия идет из конечного источника и примесный профиль описывается распределением Гаусса. На рис. 10 - 15 приведена зависимость глубины легирования от толщины окисной пленки при температуре диффузии 1000 С. При проведении диффузии в течение часа глубина легирования почти не зависит от толщины окисла. Значительное влияние толщины окисла на глубину легирования проявляется при проведении диффузии в течение 2, 4 и 8 час. Это, очевидно, можно объяснить истощением источника в процессе диффузии. [12]
Страницы: 1