Глубина - ловушка
Cтраница 3
После песколовок сточные воды очищаются в нефтеловушках, предназначенных для удаления нефти, а также взвешенных осадков, прошедших через решетки и песколовки. Глубина ловушки составляет 2 - 2 4 ы, ширина секции - от 2 до 6 м, длина определяется из расчета, чтобы средняя продолжительность пребывания воды в ловушке составляла около 2 ч, при расчетной скорости протока 3 - 8 мм / с. Загрязненная вода через строго горизонтальный водослив поступает в отстойную камеру ловушки. Вследствие разности удельных весов воды, нефтепродуктов и оставшихся в стоке твердых механических примесей происходит их разделение: нефтепродукты всплывают на поверхность, примеси оседают на дно, вода уходит из ловушки. Скопившиеся на поверхности воды нефтепродукты улавливают - ся поворачивающейся горизонтальной нефтесборной трубой с продольной щелью и направляются в разделочные резервуары для отделения от воды и использования по назначению. Осадок из приямка откачивают на подсушивающие площадки. В ловушках предусмотрен скребковый механизм с деревянными лопатками, пододвигающий осадок к приямку и подгоняющий нефтепродукты к нефтесборной трубе. Зимой в нефтеловушки подают пар для прогрева верхнего слоя жидкости. [31]
Эксперименты показали [126], что релаксация инжектированного заряда ( р-максимум на термограммах ЭТА) наблюдается в частично кристаллических полимерах, таких как ПЭТФ, ПВДФ и ПХТФЭ, в областях ас-релаксации. Глубина ловушек определяется молекулярной подвижностью, связанной с движением петель и концевых групп макромолекул на поверхности граней и ребер кристаллитов [ 123, с. Одним, возможно основным, из процессов захвата носителей зарядов при образовании гомозаряда в частично кристаллических полимерах является захват электронов на границах раздела фаз ( аморфной и кристаллической) вблизи поверхности полимера. Затормаживаясь на границе раздела из-за разной плотности ( и проводимости) фаз, электрон поляризует близлежащие полярные группы, причем ориентация диполей сопровождается изменением конформации участков цепей. Таким образом, электрон создает ловушку, в которой он может находиться длительное время, например, пока полимер не нагреют до температуры, при которой начинается интенсивное молекулярное движение на поверхности кристаллитов, при этом и происходит релаксация инжектированного ( гомо) заряда. Кто является носителем заряда - электрон или ион, остается пока неясным. [32]
Имеется некоторое экспериментальное подтверждение существования ловушек. Глубина ловушки предполагается равной приблизительно 0 8 эв. [33]
Если глубина ловушки А / сБ9, захват экситона является, как это уже подчеркивалось, многофононным безызлучательным переходом. Вероятность этого перехода может быть сравнительно большой лишь в таких кристаллах, где при захвате экситона происходит значительное смещение равновесных положений молекул, в результате чего уже в первом приближении становятся разрешенными многофононные переходы. [34]
Действительная же глубина ловушки значительно больше. Таким образом, высвобождение электрона происходит, по-видимому, в результате разрушения самой ловушки вследствие флуктуационного нарушения благоприятной ориентации диполей. Этот процесс, очевидно, начинается при более низких температурах, чем трансляционное движение радикалов. [35]
Авторы работы [504] считают необходимым подчеркнуть, что энергия активации молекулярного движения никак не связана с глубиной ловушки, в которой находится частица. По их мнению, глубина ловушки может меняться в широких пределах, а гибель частиц будет происходить в одном и том же интервале температур, совпадающем с интервалом размораживания подвижности соответствующих структурных элементов. Ранее в работах [521, 522] были предложены модели рекомбинации зарядов без выхода из ловушки. [36]
 |
Зависимость энергии актива-ции утечки зарядов. акт ( /, проводи-мости. акт ( 2 и Яакт s ( 3 от соста-ва сополимера метилметакрилата с ма-леиновым ангидридом. С-содержание иалеинового ангидрида. [37] |
Полагают, что заряды статического электричества сохраняются в подобных ловушках [ 40, с. Исходя из предположения что глубина ловушек может быть сближена по энергии активации утечки, авторы [40] сравнили величины энергии активации проводимости и утечки. На рис. 34 6 и в представлена зависимость lg / С от lgps и Igp0, Константа скорости утечки зарядов К состоит из констант скорости поверхностной / G и объемной Ко утечки зарядов. [38]
Последний механизм имеет следующие особенности. Эффективность передачи энергии определяется глубиной ловушек электронов и дырок и энергией адсорбции молекулы. Образование радикалов из донорных молекул сопровождается гибелью парамагнитных центров. Если адсорбируемая молекула является и хорошим донором, и хорошим акцептором, то предельный выход радикалов увеличивается в 2 раза при соответствующем положении акцепторного и донорного уровней молекулы относительно уровней ловушек. [39]
Связь между временем жизни фосфоресценции и глубиной ловушек легко установить лишь в рассмотренном выше простейшем случае. Реальная ситуация обычно значительно сложнее. [40]
Этим методом измеряется производная функции возбуждения вблизи порога соответствующего процесса на расстоянии, равном глубине ловушки. Попытки измерять ход сечений [31], изменяя глубину ловушек, приводят к ухудшению разрешающей способности метода, при этом в измеряемые сечения возможен вклад и от других переходов. Попытки перенести результаты этого метода, полученные в области - 0 1 эв от порогов ( где сечения еще малы, и, как правило, эти области дают малый вклад в процессы возбуждения в низкотемпературной плазме), на максимумы функций возбуждения, неоднократно предпринимавшиеся в литературе [30-32, 36], приводят к неверным выводам ( см. стр. [41]
Если отвлечься от различия в глубинах ловушек ( для дырок глубина ловушек равна 0 43 эВ, а для электронов - 0 17 эВ), можно представить, что молекулы тетрацена встраиваются в решетку антрацена определенным образом и поэтому по-разному взаимодействуют с зонами электронов и дырок, которые сами обладают различной анизотропией. Показано ( см., например, [333]), что глубина ловушек для дырок в антрацене с примесью перилена зависит от направления захвата: глубина ловушек в кристаллографических направлениях а и ft составляет 0 32 эВ, а в направлении с она равна 0 39 эВ; захват электронов автором не исследовался. Учитывая относительную анизотропию подвижности электронов, можно ожидать, что глубина ловушек для электронов не будет зависеть ( или будет слабо зависеть) от направления захвата, если конфигурация зоны каким-либо образом определяет эту глубину. Если же зонная конфигурация не играет определяющей роли, то для захвата электронов следует ожидать такую же анизотропию, как и для дырок. Что касается примеси тетрацена в антрацене, то здесь отличие в сечении захвата может быть обусловлено расположением молекул тетрацена в решетке антрацена. Тетрацен встраивается в решетку вместо молекулы антрацена, и при таком замещении нарушение зонной структуры относительно малб. Поскольку электронная зона более изотропна, чем дырочная, электрон имеет тенденцию просачиваться сквозь примесь, вследствие чего сечение захвата оказывается заниженным. Вышеприведенные рассуждения пригодны только для одного дискретного уровня захвата. Если в данном температурном диапазоне имеется более чем один уровень захвата, то кривые ИСТ, приведенные на рис. 2.8.4, будут иметь дополнительную структуру. [42]
 |
Кривые термического высвечивания. [43] |
Более полный расчет был выполнен в работах [ 4, с. Зная температуру, при которой наблюдается максимум вспышки, можно определить энергетическую глубину ловушки. [44]
С уменьшением потенциала ионизации донорной молекулы наряду с радикалами могут образоваться и молекулярные ионы. Выход радикалов на различных адсорбентах определяется не столько шириной запрещенной зоны, сколько глубиной ловушек электронов и дырок. Образование радикалов может быть полностью ингибировано, если глубина ловушек значительно изменится при небольшом изменении ширины запрещенной зоны. Зависимость процесса от температуры определяется температурной зависимостью энергии адсорбции и стабильностью парамагнитных центров адсорбента. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5