Cтраница 1
![]() |
Основные составляющие дробового эффекта при. [1] |
Глубина минимума растет при случайном увеличении эмиссии и уменьшается при ее понижении, в свою очередь уменьшая 1ли увеличивая количество электронов, приходящих к аноду. [2]
Глубина минимума С / о равна энергии связи атомов в молекуле. [3]
![]() |
Поляризация электронов в атомах гелия.| Радиус Ван-дер - Ваальса. [4] |
Глубина минимума для четкости сильно преувеличена. Не стабилен только при температурах ниже 4 К. [5]
Глубина минимума кривой дает величину энергии адсорбции д, а расстояние - R0 - равновесное положение адсорбированного атома или молекулы. Если атом или молекула связываются поверхностью коэзионными силами ( Ван-дер - Ваальса), то q невелико ( 1 - 5 ккал. [6]
Глубина минимума потенциала у катода ит зависит ( как и для диода с плоскими электродами) от отношения / У / а. [7]
Глубина минимума цри неполном разрушении слоев может быть как больше, так и меньше, чем в отсутствие ПАВ, так как на нее влияют в противоположных направлениях два фактора: остаточная гидрофобизация поверхности и увеличение порового сечения во времени. Первый фактор способствует уменьшению глубины минимума по сравнению с чистым керосином [1], второй, согласно сказанному выше - увеличению. [8]
Если глубина минимума в начале эры была велика, то она уже не станет малой и в последующих минимумах; другими словами, разность а - ( 3 в моменты смен казнеровских эпох остается большой. [9]
Если глубина дальнего минимума велика, то частицы не могут покинуть потенциальной ямы и остаются фиксированными на расстоянии, которое отвечает этому минимуму ( - 103 нм) независимо от высоты потенциального барьера. Такое положение частиц является равновесным. Поэтому они не расходятся и не сближаются, продолжая свое существование и перемещаясь в виде пары. К такой паре могут присоединяться другие частицы, образуя более сложные агрегаты на основе того же дальнего взаимодействия. При этом каждая частица сохраняет свою индивидуальность, а система в целом свою дисперсность в отличие от коагуляции, связанной с рассмотренным выше ближним взаимодействием, в результате которого происходит сращение частиц и уменьшение поверхности раздела твердое тело - дисперсионная среда. [10]
![]() |
Модель предпочтительной ориента.| Угловая зависимость общего потенциала взаимо-действий и отдельных вкладов во взаимодействие. [11] |
Сопоставляя глубину минимумов потенциальной энергии ( см. табл. 1) и характер контуров, полученных авторами [67], мы видим, что рассмотренные три щелочно-галоидные подложки должны стимулировать ориентирование макромолекул полиэтилена в различной степени, а именно: NaFRbBrNaCl. [12]
При этом глубина минимума очень велика: энергия напряжения идеальной плоской модели октахлорнафталина составляет 188 ккал / моль, тогда как для равновесной конформации она равна 136 ккал / моль. [13]
Насколько велика глубина минимума кривой потенциальной энергии. В каком процессе происходит стабилизация, необходима ли третья частица. Стабилизируется ли атомная пара столкновением с третьей частицей на одной кривой потенциальной энергии или это столкновение приводит к переходу с одной кривой на другую. Существует ли квазиравновесие, если происходит переход между двумя электронными состояниями. [14]
Если соотношение глубин минимумов зависит от температуры и потенциальные барьеры невелики, то будет иметь место переход из параэлектрического состояния в сегнетоэлектриче-ское. В отличие от предыдущего случая спонтанная поляризация ( рис. 32, б) и энергия кристалла в точке перехода меняются скачком. [15]