Глубина - прогрев
Cтраница 2
Такое допущение вполне правомерно, когда глубина прогрева или расстояние по нормали к поверхности, на котором срабатывается перепад температур Tw - T0, существенно меньше расстояния вдоль поверхности, на котором происходит такое же изменение температуры. Очевидно, что подобное предположение несправедливо при резком изменении теплового потока qQ вдоль поверхности тела или при достаточно высоких значениях коэффициента теплопроводности материала К. На практике бывает достаточно, получив решение одномерного уравнения теплопроводности в нескольких точках тела, сопоставить градиент температуры по нормали к поверхности ( дТ / ду) уо с изменением температуры вдоль нее ( dTw / dx), чтобы убедиться, насколько применима в данном случае гипотеза одномерности прогрева. [16]
Глубина закаленного слоя хк принимается в расчете равной глубине прогрева до точки магнитных превращений. Обычно при правильном выборе режима нагрева толщина этого слоя составляет около 70 % полной толщины, определенной по макроструктуре. [17]
Глубина закаленного слоя хк принимается в расчете равной глубине прогрева до точки магнитных превращений. [18]
Глубина закаленного слоя хк принимается в расчете равной глубине прогрева до точки магнитных превращений. Обычно при правильном выборе режима нагрева толщина этого слоя составляет около 70 % полной толщины, определенной по макроструктуре. [19]
Продолжительность оттаивания t принята равной длительности смены; глубина прогрева 3 см. Географическая точка - г. Петрозаводск. [20]
Из предыдущего следует, что чем выше частота, тем меньше глубина прогрева. Глубина проникновения тока для СТРЛИ при 850 С при частоте тока 2000 гц равна 14 мм, 10 000 гц - 6 5 мм, 20000 гц - 1 4 мм к 1 000 000 гц - 0 6 мм. [21]
Из графиков видно, что при прочих равных условиях наибольшая температура к глубина прогрева достигаются при значении зазора б мм, что соответствует расчетам. [22]
 |
Нагрев поверхности детали ступенчатой формы.| Индуктор с переменной шириной провода. [23] |
При нагреве внешней или внутренней поверхности полой детали необходимо также, чтобы глубина прогрева хк была в 5 - 6 раз меньше толщины стенки на любом участке. [24]
 |
Модель разрушения стеклопластика при гетерогенном взаимодействия стекла и углерода. [25] |
Величина тр обратно пропорциональна скорости разрушения, ибо с ростом vx уменьшается глубина прогрева бг и одновременно сужается зона реакции, а также возрастает скорость прохождения реагентов через эту зону. [26]
 |
Нагрев поверхности детали ступенчатой формы.| Индуктор с переменной шириной провода. [27] |
При нагреве внешней или внутренней поверхности полой детали необходимо также, чтобы глубина прогрева хк была в 5 - 6 раз меньше толщины стенки на любом участке. [28]
На рис. Э показано влияние зазора на температуру поверхности заготовки и на глубину прогрева до Т 850 С я момент начала накатки зубьев. Температура 850 С соответствует нижней границе штамповочных температур. [29]
 |
Скорость прогрева нефтей в резервуарах различного диаметра. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5