Глубина - проникновение - поле
Cтраница 2
Из формулы (6.11) видно, что глубина проникновения поля тем больше, чем больше разность работ выхода и чем меньше концентрация носителей тока в полупроводнике. [16]
Из этой формулы видно, что глубина проникновения поля тем больше, - чем больше разность работ выхода и чем меньше концентрация носителей тока в полупроводнике. [17]
При низких температурах благодаря возрастанию проводимости глубина проникновения поля высокой частоты в металле уменьшается, тогда как средний свободный пробег электронов увеличивается, так что он может стать в несколько раз больше глубины скин-слоя. Поэтому электрон за время свободного пробега будет двигаться через области с разной напряженностью поля; добавочная скорость, которую он получит, будет зависеть от напряженности поля вдоль всего пути движения. Результаты строгого математического решения показывают [51], что напряженность электрического поля определяется сложным выражением, но не имеет экспоненциального вида, который предсказывается классической теорией. Так как распространение волны не является более экспоненциальным, то классическое представление о комплексном показателе преломления в общей теории теряет свой физический смысл. [18]
Таким образом, g приобретает смысл действительной физической глубины проникновения поля за время t я / го. Если принять отношение индукции Вт к напряженности магнитного поля на поверхности Нт за магнитную проницаемость и обозначить ц, Вт / Нт, выражение g приобретает вид общепринятой эквивалентной глубины проникновения электромагнитного поля в линейное полупространство. [19]
 |
Антенный переключатель с ферритовым циркулятором.| Балансный антенный переключатель с. [20] |
На практике обычно используется различие в глубине проникновения поля частоты модуляции и сверхвысоких частот. [21]
Чем больше ац /, тем меньше глубина проникновения поля в толщу экрана и, следовательно, тем тоньше может быть экран. [22]
Подчеркнем, что она не совпадает с глубиной проникновения поля в сверхпроводник из пустоты. [23]
В реальном резонаторе с достаточно хорошо проводящими стенками глубина проникновения поля в металл 80 по ( 1 41с) очень мала, и приближенно можно принять, что все выделение тепла в стенках происходит в тонком ijiosepXHOCTHOM слое. Поэтому если толщина металлических стенок настолько превосходит глубину проникновения, что отражение от противоположной поверхности стенки ничтожно, а кривизна стенки достаточно мала, то к стенкам резонатора приближенно можно применить формулы ( 1 39а) - ( l 41g), полученные для плоской волны в металле. [24]
При достаточной толщине стенок ( большей, чем глубина проникновения поля) электромагнитное поле практически не проникает сквозь стенки, ограничивающие объем, и внутри этого объема внешнее электромагнитное поле отсутствует. Таким образом, хорошо проводящие стенки являются экранами для высокочастотных магнитных полей. На низких частотах применяют экраны из ферромагнитных материалов. [25]
Из выражений (2.25) и (2.26) следует, что глубина проникновения поля тем больше, чем больше разность работ выхода и чем меньше концентрация носителей заряда в полупроводнике, а объемный заряд увеличивается с ростом этих величин. [26]
При достаточной толщине стенок ( большей, чем глубина проникновения поля) электромагнитное поле практически не проникает сквозь стенки, ограничивающие объем, и внутри этого объема внешнее электромагнитное поле отсутствует. Таким образом, хорошо проводящие стенки служат экранами для высокочастотных магнитных полей. Для экранирования магнитных полей применяют экраны из ферромагнитных материалов. [27]
Мейснера эффект), причем б имеет смысл глубины проникновения поля в сверхпроводник. [28]
Отсюда видно, что А 1 / а - глубина проникновения поля в диэлектрик, так как на глубине х А амплитуда напряженности поля уменьшается в к раз. [29]
Страницы: 1 2 3 4