Относительно малая глубина
Cтраница 2
 |
Диаграммы Найквиста петлевого коэффициента усиления систем с обратной связью. [16] |
Накапливающийся с понижением и повышением частоты фазовый сдвиг зависит от числа частотно-зависимых цепей в петле усилитель - обратная связь и естественно возрастает с увеличением числа каскадов, охватываемых обратной связью. Однокас-кадный усилитель с резистивно-емкостной связью, как правило, сохраняет абсолютную устойчивость при любой глубине обратной связи, если в области средних частот она отрицательна. Для двухкаскадного усилителя уже могут возникать ограничения в допустимой глубине обратной связи, в особенности при введении в цепь обратной связи реактивных сопротивлений. Трехкаскад-ный усилитель оказывается весьма склонным к самовозбуждению даже при относительно малой глубине обратной связи. При наличии сложных цепей междукаскадной связи, дающих сдвиг фаз до 180 ( например, при трансформаторно-емкостной связи), ограничения на глубину обратной связи возрастают. [17]
Дистилляты, если только они не очень ароматизова-ны, относительно плохо растворяют асфальтены при высоких температурах. Поэтому растворение в них при высоких давлениях легких продуктов крекинга приводит к выделению из раствора второй жидкой фазы асфальтенов, и осуществляется образование микросферических частиц кокса, взвешенных в жидких продуктах крекинга. При достижении в ходе крекинга состава жидкой фазы, являющейся плохим растворителем асфальтенов, скорость коксообразования определяется скоростью образования асфальтенов. С повышением предела выкипания фракций данной нефти или при некотором повышении ароматизованности дистиллята, выкипающего в заданных пределах, скорости образования асфальтенов и, в результате, коксообразования возрастают. При относительно малой глубине крекинга образующиеся асфальтены растворены в жидких в условиях крекинга продуктах, которые еще являются хорошим раст - ворителем асфальтенов, так как давление газообразных продуктов относительно невелико и растворение их в жидкой фазе поэтому незначительно. [18]
Поэтому в описанной структуре все же следует опасаться нежелательных явлений в результате оттеснения эмитерного тока в область со слишком большой толщиной базы. Для обеспечения более высоких значений рабочих токов технологическую схему изготовления транзисторов с диффузионными эмиттером и коллектором приходится несколько усложнять. По более сложной схеме в качестве исходной берется шлифованная пластина толщиной не 150 - 200, а 250 - 300 мк и в нее проводится с двух сторон двухстадийная диффузия фосфора на глубину порядка 100 - 120 мк, после чего с одной стороны сошлифовывается весь диффузионный слой и часть высокоомного слоя исходного материала, так что оставляется пластина толщиной 130 - 150 мк, имеющая сильнолегированный n - слой толщиной 100 - 120 мк и слаболегированный р-слой толщиной около 30 мк. Вслед за этим в высокоомный р-слой проводят диффузию фосфора на глубину около 10 мк, потом этот слой стравливают отовсюду, кроме участков, где должна располагаться эмиттерная область, проводят диффузию бора, а затем проводят вторую стадию диффузии. Еще одна причина, л о которой следует диффузию эмиттера проводить отдельно от диффузии коллектора и на относительно малую глубину, заключается в том, что мелкий эмиттер, имеющий более крутой градиент распределения примеси у перехода и более высокое значение концентрации фосфора на поверхности, может обеспечить более высокий коэффициент инжекции. [19]
Страницы: 1 2