Общая глубина - слой
Cтраница 2
Столбча-тость зерен вновь образовавшейся на поверхности а-фазы отчетливо сохраняется при последующем охлаждении, так как при этом перекристаллизации а-фазы не происходит. Линия раздела а - И у-фаз при температуре диффузии выявляется в этом случае в микроструктуре, так же как и в предыдущем случае, резкой полосой и соответствует резкому перепаду концентра ции диффундирующего элемента. Общая глубина слоя выявляется неотчетливо, аналогично предыдущим случаям. [17]
 |
Схема процесса электрохимической заточки. [18] |
Наличие процесса анодного растворения и искрения приводит к существенным изменениям структуры поверхностного слоя, состоящего из тонкой пленки окислов и слоя пониженной твердости. Кроме того, в поверхностном слое образуются лунки диаметром 10 - 20 мкм, появляющиеся в результате действия электроискрового процесса. Общая глубина слоя измененной структуры может составлять 10 - 25 мкм. [19]
Причем в зависимости от параметров режима глубина слоя может достигать нескольких десятков и даже сотен микрон, особенно в том случае, если движение дислокаций в поверхности может осуществляться не только скольжением, но и неконсервативным движением, т.е. переползанием. Так, в работах [27-29] аналогично [230] были сделаны оценки величины сил, действующих на дислокацию в поверхностном слое толстой пластины применительно к условиям термоциклирования. Кроме того, эксперименты [27] показали, что в процессе термоциклической обработки часть дислокаций и дислокационных петель независимо от знака вектора Бюргерса имеет тенденцию перемещаться преимущественно к свободной поверхности и выходить на поверхность кристалла с глубины порядка 100 - 2000 А для поликристаллов ( Ni, Mo, Nb, W, жаропрочные сплавы ЖС6К, ВЖ36Л1 и др.) и 150 000 - 200 000 А ( 15 - 20 мкм) для достаточно совершенных монокристаллов Се. При этом общая глубина слоя, в котором могут наблюдаться существенные структурные изменения в результате консервативного и неконсервативного движения дислокаций, может достигать 50 - 100 мкм. [20]
Страницы: 1 2