Глубь

Cтраница 4

От реки в глубь берега, на котором находится водозабор, граница первого iio ca ЗСО проходит на расстоянии не менее 100 м ОТ уреза воды при летне-осенней межени. [46]

Не проникая в глубь сверхпроводника, магнитное поле может существовать в его поверхностном слое. В этом слое индукция магнитного поля отлична от нуля. В слое протекают незатухающие токи, экранирующие от внешнего поля области сверхпроводника, удаленные от поверхности. Глубина проникновения магнитного поля в сверхпроводниках ( толщина слоя, в котором индукция поля отлична от нуля) является одной из основных характеристик сверхпроводника. Обычно она составляет несколько сотен ангстрем. [47]

Для проникновения в глубь микромира до расстояний 10 - 14 - 10 - 15 см необходимы энергии порядка 10 ГэВ, получение которых на ускорителях еще невозможно. [48]

Наклон рычага в глубь прорези вызывает передвижение валика 1 и тем самым ввод в зацепление подвижной шестерни коробки с неподвижно закрепленной. [49]

Для проникновения в глубь микромира до расстояний 10 - 14 - 10 - 15 см необходимы энергии порядка 104 ГэВ, получение которых на ускорителях еще невозможно. [50]

Зонд с фиксированным.| Поляризационные кривые, снятые различными зондами. Электролит. 100 г / л CuSO4 - 5H2O и 20 г / л H2SO4 t2Q C. [51]

Отодвигание зонда в глубь раствора не является единственным способом избежать влияния электродных граничных условий на величину ошибки зонда. РЬ ( NO3) 2 - При этом оказалось, что начиная с р 55 линейность изменения потенциала зонда с расстоянием не нарушается вплоть до их соприкосновения. [52]

Объемная диффузия в глубь носителя при комнатной температуре не происходила в случае золота, платины, алюминия, железа, никеля, меди и свинца; в серебряном носителе она не наблюдалась вплоть до 500 С. [53]

Теоретическая зависимость фототока от длины волны света. [54]

Проникновение света в глубь полупроводника зависит от длины волны. Чем длина волны больше, тем свет проникает глубже. Поэтому с уменьшением длины волны поглощение света и перевод электронов в зону проводимости происходит в более мелких слоях. При этом возрастает роль поверхности, повышается скорость поверхностной рекомбинации. Это снижает время жизни возбудившегося электрона и, следовательно, эффективное время его участия в образовании фототока. В результате величина фототока с уменьшением длины волны снижается. [55]

Последние диффундируют в глубь щели к активной поверхности. После повышения концентрации Ti ( IV) - ионов до критической должна наступить самопассивация титана в щели. Предполагается, что такая же модель может работать и в деаэрированном растворе, где будет происходить электрохимическое окисление Ti ( III) - ионов на пассивной поверхности титана у устья щели или в объеме электролита. Естественно, до того как концентрация Ti ( IV) - ионов достигнет критической, они могут ускорять активное растворение титана в щели в качестве дополнительного катодного деполяризатора. [56]

Рост цепи в глубь кристалла протекает вдоль кристаллографических осей. При встрече с дефектом ( примесь, отсутствие мономера в узле кристаллической решетки или такое положение мономера, при котором его присоединение к активному центру невозможно) активный центр либо временно замораживается ( дальнейший рост полимерной цепи возможен только после выхода активного центра из дефекта с меньшей константой скорости), либо погибает. В процессе полимеризации возникают дополнительные дефекты, которые в конце концов снижают скорость до нуля. [57]

Многослойная структура диф - [ IMAGE ] Слоисто-ячеистая структура. [58]

От поверхности в глубь образца алюминиды располагаются от высших к низшим формам. [59]

Диффузия кислорода в глубь титана приводит к образованию под слоем ТЮ2 рыхлой прослойки из ТЮ2 и TiO и слоя титана с повышенным содержанием кислорода, который называют газонасыщенным или альфированным. Кислород относится к числу элементов, стабилизирующих - фазу. Жидкий титан растворяет кислород. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5