Cтраница 2
На фото 1 можно видеть, что в структуре цинковой обманки плоскости 111 образуются поочередно либо только Ill-атомами, либо только V-атомами. Поэтому если такие плоскости противоположно заряжены, то между ними существует электростатическое притяжение и разделить их, должно быть, трудно. С другой стороны, каждая плоскость ( 110) состоит из равного числа Ill-атомов и V-атомов, так что в целом между этими плоскостями не возникает электростатических сил и поэтому разделить их относительно просто. [16]
Атомы замещающей примеси могут занимать место III-или V-атомов в некоторой определенной пропорции, либо могут входить в решетку парами, замещая соседние разноименные атомы. Для примесного атома, расположенного в междоузлии, ближайшими соседями окажутся либо четыре Ill-атома, либо четыре V-атома. Наконец один и тот же примесный элемент в разных соединениях может вести себя по-разному. [17]
Из табл. 11 можно видеть, что у каждого соединения III-V проявляется тенденция к тому, чтобы энергия активации для диффузии всех акцепторов была меньше энергии активации для всех доноров, если эти примеси представляют собой примеси замещения. Кроме того, скорости самодиффузии элементов III и V неодинаковы; энергия активации для диффузии V-атомов больше. Это позволяет предположить [30], что самодиффузия и диффузия примесей замещения происходят по вакансиям частичных кристаллических решеток; Ill-атомы и акцепторы движутся по частичной решетке Ш - атомов, а V-атомы и доноры - по частичной решетке V-атомов. [18]
На плоскости же ( Til) связь этих атомов носит противоположный характер. Возможно, что плоскости 111, ограничивающие кристалл, образуются из атомов, которые имеют по три связи с объемом кристалла, так что плоскости ( 111) состоят из Ill-атомов, а плоскости ( 111) - из V-атомов. [19]