Диффузия - заряд
Cтраница 1
Диффузия зарядов в стволе дуги имеет одну особенность. Так как диффузия электронов идет быстрее, чем диффузия ионов ( Ке X -; ve V: , то электроны стремятся уходить из ствола дуги значительно быстрее, чем положительные ионы. Но если из данного объема дуги уходит некоторое количество электронов, то избыток положительных ионов, оставшихся в этом объеме, притягивает уходящие электроны и тормозит их движение, В свою очередь, ионы, притягиваясь к уходящим электронам, ускоряют свое движение и догоняют электроны. [1]
Диффузия зарядов обусловливает движение их через границы раздела областей. [2]
При диффузии зарядов в случае монополярной проводимости носители тока не могут существенно смещаться из-за электростатических сил притяжения к неподвижным зарядам противоположного знака. В случае же биполярной проводимости диффундирующие носители могут вовлекать в процесс диффузии и носители тока противоположного знака, которые в монополярном случае являются фактором, затрудняющим диффузию. По этой причине в биполярной проводимости диффузия носителей может простираться на значительные расстояния, определяемые лишь временами их жизни и подвижностью. [3]
 |
Кривая падения напряжения в проводящую часть периода ( а и кривая обратного тока в непроводящую часть периода ( б. [4] |
Однако и после пробоя диффузия зарядов из анодной камеры в катодную ( необходимая для формирования второй стадии разряда) несколько более затруднена вследствие узости каналов в анодной камере, что приводит к оседанию значительного количества зарядов на стенках, где электроны и ионы рекомбинируют между собой. [5]
Эти нестационарные процессы определяются диффузией зарядов в триодах и перезарядом ускоряющих емкостей С, которые после окончания опрокидывания удлиняют фронты. [6]
Малая плотность среды обусловливает очень высокую скорость диффузии зарядов из-за большой разницы плотностей частиц Б разряде и вакууме. Быстрая диффузия частиц, высокая электрическая прочность вакуума позволяют эффективно гасить дугу в вакуумном выключателе. [7]
Возникающая при расхождении контактов дуга быстро гаснет благодаря интенсивной диффузии зарядов в вакууме. [8]
Малая плотность газа в колбе обусловливает исключительно высокую скорость диффузии зарядов из-за большой разницы плотностей частиц в разряде и вакууме. Быстрая диффузия частиц, высокая электрическая прочность вакуума позволяют эффективно гасить дугу в вакуумном выключателе. [9]
Вследствие неравенства концентраций свободных носителей зарядов двух контактирующих полупроводников происходит диффузия зарядов из одного полупроводника в другой. В результате этого оставшиеся связанные заряды создают двойной запирающий слой, статическое электрическое поле которого препятствует дальнейшей диффузии основных носителей. Образовавшийся внутренний потенциальный барьер могут преодолеть только те основные носители, которые имеют достаточную кинетическую энергию. Для неосновных носителей потенциальное поле является ускоряющим, и они продолжают переходить из одной части полупроводника в другую. Однако ток неосновных носителей весьма мал, так как их концентрация ничтожна. Кроме того, в состоянии динамического равновесия потоки носителей заряда различных знаков одинаковы и ток через р-п-пе-реход отсутствует. [10]
Это условие выполняется, если глубина проникнове - t ния излучения, толщина полупроводника и длина пути диффузия зарядов будут одного порядка. [11]
Неизменность первоначального распределения объемного заряда с течением времени, вытекающая из уравнения (66.39), возникает потому, что мы учли только ток проводимости. В действительности же будет иметь место диффузия заряда, поэтому объемный заряд вследствие диффузии меняет свое распределение в кристалле. [12]
Уходу зарядов в поперечном направлении препятствует в заметной степени возникающее вокруг токового канала магнитное поле. Так как полной симметрии в напряженности магнитного поля нет, то в местах с меньшей напряженностью поля диффузия зарядов Е поперечном направлении относительно больше, и в этом направлении катодная ячейка смещается. [13]
Площадь столба дуги при прочих равных условиях пропорциональна току, поэтому плотность тока в столбе остается практически постоянной. С увеличением тока в дуге условия горения ее улучшаются, так как при этом интенсивность ионизации возрастает в большей степени, чем процессы рекомбинации и диффузии зарядов. [14]
При идентичности параметров транзисторов Т1 и Т2 и симметрии схемы ( RKl RK2; R Rta и Ct C2) в начальный момент после подключения напряжения источника - Е & через транзисторы протекают равные по величине токи. Однако такое равновесное состояние схемы весьма неустойчиво. Незначительное изменение тока одного из транзисторов, вызванное, например, неравномерностью диффузии зарядов через эмиттерный переход, обусловливает несимметрию режимов плеч мультивибратора, которая лавинообразно нарастает. [15]
Страницы: 1 2