Искривление - траектория - электрон
Cтраница 2
 |
Спектр циклотронного резонанса в тонком монокристалле Bi. при Н Нот наблюдается резонанс на неэкстремальных орбитах.| Эволюция области А а случае размешивания. [16] |
В пластинах с достаточно гладкими гранями циклотронный резонанс возможен в слабых нагн. При этом электроны периодически возвращаются в скин-слой за счет зеркальных отражений от противоположной грани, а роль маги, поля сводится лишь К искривлению траекторий резонансных электронов. Условие резонанса имеет вид со 2лпГ - 1, где Т - период движения зеркально отраженных электронов. [17]
На каждую пару пластин подается определенная разность потенциалов. Электроны луча, попадая в пространство между пластинами, притягиваются к пластине с положительным потенциалом и отталкиваются от пластины с отрицательным потенциалом. Это и вызывает искривление траектории электронов луча. В результате луч попадает на экран, в точку на расстоянии h от центра. Величина отклонения пропорциональна разности потенциалов, поданной на отклоняющие пластины. [18]
Большой мощностью и малой расходимостью обладает синхротрон-нов излучение, получаемое в циклических ускорителях электронов - накопительных кольцах. При достижении релятивистских скоростей электроны длительное время движутся по круговым траекториям в магнитном поле. Излучение возникает в результате искривления траекторий электронов и появления центростремительного ускорения. Излучение имеет малую расходимость, а его мощность даже на больших ( до 40 м) расстояниях от источника гораздо больше, чем для рентгеновской трубки. Время экспонирования сокращается до нескольких секунд по сравнению с несколькими часами при использовании обычных рентгеновских установок. [19]
 |
Отклоняющие пластины [ IMAGE ] - 9. Дополнительные аноды для послеускорения. [20] |
Уменьшение яркости свечения при понижении анодного напряжения t / a2 компенсируется в трубках с послеускорением. При этом l / a3 Ua2 - Поле между этими двумя слоями образует линзу, которая ускоряет электроны. Но вместе с тем происходит некоторое искривление траекторий электронов. Вследствие этого чувствительность несколько снижается и возникают искажения в изображении. [21]
 |
Режим возврата электронов к сетке.| Зависимость коэффициента токораспределения от напряжений на электродах триода. [22] |
При дальнейшем увеличении напряжения на аноде характерные признаки режима возврата исчезают. Влияние положительного поля сетки сказывается лишь на искривлении траекторий электронов, движущихся к аноду. Ток сетки образуется теперь только за счет электронов, которые непосредственно попадают на витки сетки. Наступает режим токораспределения, который называют режимом перехвата электронов сеткой. [23]
Это напряжение используется в качестве смещения на сетку триодной части индикатора. Анод этого триода соединен с ножевидным электродом индикатора. При настройке приемника величина сигнала увеличивается, растет смещение на сетку триода, падает ток через резистор 2 и уменьшается разность потенциалов между ножевидным электродом и экраном. В результате искривление траекторий электронов уменьшается, и темная полоса на экране индикатора сжимается. [24]
Страницы: 1 2