Градиент - концентрация - неосновной носитель
Cтраница 1
Градиент концентрации неосновных носителей около эмиттера, соответствующий величине инжекцион-ной составляющей тока, растет со временем в связи с уменьшением емкостной составляющей тока эмиттера. [2]
При этом градиенты концентрации неосновных носителей у эмиттера и коллектора равны. [3]
Уменьшение толщины базы вызывает увеличение градиента концентрации неосновных носителей заряда базы ( дырок, инжектированных из эмиттера), поэтому скорость прохождения дырками базы увеличивается, а следовательно, растет и ток эмиттера. [4]
При б 1 вблизи р-п перехода возникает заметный градиент концентрации неосновных носителей. При этом появляется электрическое поле и наряду с диффузионной составляющей - дрейфовая составляющая тока, которой пренебрегать нельзя, и, следовательно, формула (2.32) перестает быть справедливой. [5]
Появление в каком-то месте полупроводника неравновесной концентрации носителей заряда приводит к появлению градиента концентрации неосновных носителей и к перемещению этих носителей за счет диффузии в направлении, противоположном направлению градиента. [6]
Приложение к р-п переходу внешней разности потенциалов в запорном направлении приводит к появлению вблизи границ перехода градиента концентрации неосновных носителей ( рис. 8.15 в) и возникновению диффузионного тока. [7]
IKJlv) - Если положить, что / э / к, то коллекторный ток определяется градиентами концентраций неосновных носителей на п - и р-краях эмиттерного перехода. Поэтому если / к должен уменьшаться, то и градиент концентраций избыточных носителей в базе также должен уменьшаться. [8]
Через эмиттерный переход протекает ток при напряжении на эмиттере, равном нулю, если UK / 0, так как в области базы существует градиент концентрации неосновных носителей. [9]
 |
Схемы включения транзистора. а - с общей базой. б - с общим эмиттером.| Семейства статических входных ( а и выходных ( б характеристик транзистора, включенного по схеме с общей базой. [10] |
При нормальном смещении на транзисторе распределение концентрации неосновных носителей в базе транзистора можно считать линейным, как показано на рис. 4.13. В этом случае при постоянном токе эмиттера градиент концентрации неосновных носителей в базе должен оставаться постоянным. [11]
После уменьшения граничных концентраций неосновных носителей заряда в базе около переходов до нуля будут уменьшаться со временем токи эмиттера и коллектора, так как процесс рассасывания неосновных носителей заряда из базы продолжается и уменьшается абсолютное значение градиентов концентрации неосновных носителей заряда около соответствующих p - n - переходов. [12]
После уменьшения граничных концентраций неосновных носителей заряда в базе около переходов до нуля будут уменьшаться со временем токи эмиттера и коллектора, так как процесс рассасывания неосновных носителей заряда из базы продолжается и уменьшается абсолютное значение градиентов концентрации неосновных носителей заряда около соответствующих р - / г-переходов. [13]
Если дырочный ток, питающий базу рз, превышает ток, необходимый для рекомбинации с электронами в ней, то, как следует из уравнения (11.60), транзистор типа tin-pz - tii должен питать базу п транзистора типа p - n - pz электронным током, превышающим ток, необходимый для рекомбинации с дырками. В результате градиенты концентраций неосновных носителей в базовых слоях понижаются, а коэффициенты передачи составных транзисторов уменьшаются, пока - поступающий в базу ток, обеспечиваемый соседним транзистором, не уравняется с током, необходимым для рекомбинации в базе первого транзистора. [14]
С увеличением обратного напряжения запирающий слой в соответствии с ( 10 - 37) расширяется, поле § к растет, но ток через переход практически не меняется. Это объясняется тем, что градиенты концентрации неосновных носителей у границ перехода не изменяются с увеличением напряжения U, так как величины про, р 0, Lp и Ь не зависят от этого напряжения. [15]
Страницы: 1 2