Градиент - поле
Cтраница 1
Градиент поля должен быть тем больше, чем больше количество примесей, которые нужно отделить, чем выше требуемая степень очистки и необходимая производительность электроразделителя и чем более вязкий продукт подвергается очистке. Для стержневых электродов требуется более низкое напряжение, а следовательно, и меньший градиент поля, чем для пластинчатых и камерных ( данные о конструкции электродов приведены в гл. Практически градиент поля обычно подбирают опытным путем в каждом конкретном случае. [1]
Градиент поля у этих полюсных наконечников рис. 17 з в верхней части направлен по оси - х, а в нижней по оси х, причем на некотором расстоянии вдоль оси 2 HgrauH остается постоянным. Эти наконечники позволяют исключить действие материала ампулы, в которую помещается исследуемое вещество, так как на обе половины пустой ампулы действуют равные и противоположные силы. Если в одной из половин ампулы находится вещество, то возникает сила, зависящая только от магнитных свойств этого вещества. [2]
 |
Результаты опыта Франка и Герца. [3] |
Градиент поля был направлен перпендикулярно к пучку атомов, и следовательно, сила F вызывала отклонения атомов от первоначального направления движения. [4]
Градиенты поля при любом другом приложенном напряжении можно легко получить путем пропорционального пересчета. [5]
Градиент поля у ядра атома иода можно вычислить таким же образом, как это делалось в разд. [6]
Градиент поля находится по двум измерениям в строго фиксированных точках с помощью двухслойного матричного преобразователя. [7]
Градиент поля и ( М) обозначается § гас. [8]
Градиент поля, который необходимо создать между электродами, зависит от количества отделяемых примесей, желаемой степени очистки, свойств нефти и воды, разности их плотностей, вязкости, производительности аппарата, конструкции электродов. [9]
 |
Сравнение параметров спектров галогенидов ксенона при 4 2 К. [10] |
Градиент поля в 3Р2 - состоянии возникает из-за отсутствия одного 5рз / 2-электрона. [11]
Градиент поля дН / дг определяется формой полюсов магнита. На рис. 13.3 градиент поля направлен вниз, так как поле увеличивается к нижнему полюсу. [12]
Обычно градиенты поля в горизонтальном направлении неизбежны и под их влиянием образец притягивается к одному или другому полюсному наконечнику. Эти горизонтальные силы не дают вклада в измеряемую силу, но они мешают измерениям, и их следует сделать минимальными. Такие горизонтальные перемещения можно уменьшить, подвешивая трубку с образцом, как изображено на рис. 8, таким образом, чтобы верхний конец образца находился в сильном поле, а нижний - в слабом поле. [13]
Значения градиента поля для ионных соединений, рассчитанные на основе модели с точечными зарядами, обычно плохо согласуются с экспериментальными данными, если не учитывать поляризуемость ионов. Поправка на поляризуемость вводится путем умножения 7 он на так называемый фактор дезэкранирования 1 - - f, который, как правило, увеличивает градиент поля. Если принять столь большую величину поляризационного эффекта, то для ионных соединений галогенов возникают затруднения при химической интерпретации констант квадрупольного взаимодействия. Так, в случае СгС13 ( см. разд. IV, А, 2) градиент поля, рассчитанный для модели точечных зарядов, равен / ион - 0 47 1024 см-3, тогда как экспериментальное значение q равно 9 4 1024 см-3. Если умножить 7иои на 1 - Т с - 57 6, то полученная величина очень сильно отличается от экспериментального значения. Если же воспользоваться методом МО, то окажется, что ионы вообще не поляризуются, и в предельно ионном случае ( У - 0) градиент поля - qHOll будет очень мал. Берзон и Шульман [17] предлагают учитывать поляризационные эффекты путем внесения поправки на ковалентный характер связи, который рассчитывается в приближении МО. Де Вийн [18] отметил, что поляризация иона галогена приводит к распространению электронной плотности в ту область, где следует учитывать отталкивание от электронов соседних положительных ионов. Подобное межэлектронное отталкивание должно приводить к заметному уменьшению квадрупольной поляризации. [14]
 |
Структура кристалла Си2О. [15] |
Страницы: 1 2 3 4