Cтраница 2
Температурный градиент представляется вектором, за положительное направление которого принимается направление в сторону возрастания температуры. [16]
Температурный градиент при адиабатическом расслоении может быть определен и для насыщенного воздуха ( 100 / 0 относительной влажности); для слоев, близких к поверхности земли, он имеет значение, равное примерно половине значения для сухого воздуха; для более же высоких слоев разница по сравнению с сухой адиабатой получается меньшей что объясняется меньшим содержанием водяных паров при более низкой температуре. [17]
Температурный градиент в отличие от температуры является векторной величине. [18]
Температурный градиент, численно равный изменению температуры на единице длины нормали к изотермической поверхности, является мерой интенсивности изменения температуры в данной точке. [19]
![]() |
Оптимальная температура и профили кривых выходов для кон-секутивных реакций ( 0 - длительность процесса. [20] |
Температурный градиент значительно круче, если вторая реакция с имеет второй порядок. [21]
Температурный градиент является вектором, направленным по нормали к изотермической поверхности. Положительным считается его направление в сторону возрастания температуры. [22]
Температурный градиент должен устанавливаться таким, чтобы в каждой ступени достигались оптимальные условия экстрагирования. В непосредственной связи с температурным градиентом находится понятие о рециркуляции промежуточного продукта при селективной очистке масел. [23]
Температурный градиент должен быть таким, чтобы в каждой ступени процесса очистки достигались оптимальные условия экстрагирования. [24]
Температурный градиент определяется на основании опытных данных. Величина а зависит от температуры и энергии активации. [25]
Температурные градиенты у поверхности кристалла вследствие неизотермичности кристаллизации, адсорбция примесей и другие причины приводят к появлению дислокаций, дефектов поверхности грани, что снижает энергетический барьер, преодолеваемый частицей для включения ее в кристаллическую решетку. В результате скорость роста кристалла увеличивается. Еще больше эта скорость возрастает вследствие присоединения к расту-шей грани содержащихся в пересыщенном растворе агломератов или блоков зародышей. Это приводит к искажению формы кристаллов и образованию их сростков. В вязких средах при недостаточном перемешивании наиболее доступны для диффундирующих из раствора зародышей и их блоков вершины и ребра кристалла, что приводит к преимущественному их росту. Вследствие этого кристаллы приобретают иглообразную или дендритную ( древовидную) форму. [26]
Температурные градиенты у поверхности кристалла вследствие неизотермичности кристаллизации, адсорбция примесей и другие причины приводят к появлению дислокаций, дефектов поверхности грани, что снижает энергетический барьер, преодолеваемый частицей для включения ее в кристаллическую решетку. В результате скорость роста кристалла увеличивается. Еще больше эта скорость возрастает вследствие присоединения к - растущей грани содержащихся в пересыщенном растворе агломератов или блоков зародышей. Это приводит к искажению формы кристаллов и образованию их сростков. В вязких средах при недостаточном перемешивании наиболее доступны для диффундирующих из раствора зародышей и их блоков вершины и ребра кристалла, что приводит к преимущественному их росту. Вследствие этого кристаллы приобретают иглообразную или дендритную ( древовидную) форму. [27]
Температурный градиент как вектор направлен по нормали к изотермической поверхности. [28]
![]() |
Относительные излучения в зависимости от температуры для края полосы в спектре N2. [29] |
Температурный градиент dT / dr определен с помощью графического дифференцирования распределения температур по радиусу дуги. [30]