Малый температурный градиент

Cтраница 1

Малые температурные градиенты являются причиной экспериментальных трудностей при определениях коэффициентов эффективной теплопроводности ПС. [1]

Это условие требует малых температурных градиентов. [2]

Это достигается либо выбором малого температурного градиента, либо программированным понижением средней температуры зоны Т по мере ее продвижения в более нагретые области кристалла. Метод применим в тех случаях, когда растворимость в твердом состоянии в интервале Т - Те незначительно меняется с температурой, в том числе при ретроградной линии со-лидуса. [3]

Для квазистационарной стадии регенерации характерны пренебрежимо малые температурные градиенты по грануле. Однако Бонди, Миллер и Шлаффер [41] показали, что при регенерации пылевидного катализатора крекинга в течение первых 10 миллисекунд температура частицы может на 200 С и более превышать температуру окружающей среды. [4]

Другими положительными факторами являются сравнительно небольшое соотношение растворителя и сырья и малый температурный градиент депарафинизации. [5]

Устройство для измерения проводимости образцов на постоянном токе четырехклеммным методом. [6]

Поскольку разность потенциалов на концах образца может включать напряжение Зеебека, обусловленное малыми температурными градиентами, необходимо провести измерения при обратной полярности внешнего напряжения и определить зависимость между током и напряжением при обоих направлениях тока. [7]

Для достижения температур до 1500 С в большинстве случаев нагрев образца осуществляется с помощью электрического нагревателя особой конфигурации, обеспечивающей малые температурные градиенты в рабочем объеме камеры. Рабочий температурный интервал в этом случае определяется материалами, из которых изготовлены проволока нагревателями керамика. [8]

Опыт требует для своего проведения всего 10 - 15 мин. Малый температурный градиент в плоском и линейном источниках тепла позволяет определить теплофизические коэффициенты влажных материалов, не вызывая значительных перераспределений влаги в самом образце. [9]

Практика показывает, что сушку токами высокой частоты более рационально применять для трудно сохнущих толстых материалов. При малых температурных градиентах, точнее при малых значениях критерия Поснова Рп, распределение влагосодержания и ( х) внутри материала аналогично распределению влагосодержания при сушке нагретым газом ( фиг. [10]

Описанные технологические исследования показали, что кристаллы ниобата бария-натрия очень чувствительны к аепловым условиям роста, и поэтому необходим тщательный экспериментальный подбор термических градиентов как в расплаве, так и над ним. Желательно иметь малые температурные градиенты, поскольку получаемые в этих условиях кристаллы обладают меньшим количеством оптическпх дефектов. Интересным новшеством является охлалхдение дна тигля воздухом, позволяющее создать более стабильные тепловые условия роста. [11]

При выращивании НБН по методу Чохральского необходимо постоянно контролировать мощность, подводимую к тиглю, так как кристалл имеет тенденцию расти очень неустойчиво, что проявляется в самопроизвольном резком увеличении или уменьшении его диаметра и даже отрыве от расплава. В особенности это имеет место при малых температурных градиентах на поверхности раздела фаз. Причина явления заключается в выделении скрытой теплоты кристаллизации, которая вследствие низкой теплопроводности кристаллов не успевает отводиться от фронта кристаллизации. [12]

Зависимость прочности пленочного стекла ( на продавливание от его толщины h.| Зависимость пробивного градиента. пр от толщины плепочного стекла. [13]

Термостойкость пленочного и чешуйчатого стекол исключительно высокая. Она определяется в первую очередь небольшой толщиной пленки ( малый температурный градиент по толщине), а также ее большой прочностью. [14]

Концентрационное переохлаждение играет также определенную роль при образовании кристаллов на первом фронте кристаллизации. Чистые металлы образуют ( особенно при большой скорости затвердевания и малых температурных градиентах) кристаллы, которые с боковой поверхности ограничены сравнительно плоскими поверхностями. [15]

Страницы: 1 2 3