Испарение - кристалл
Cтраница 1
Испарение кристалла в вакуум требует затраты энергии для преодоления сил притяжения между ионами, действующих в кристаллической решетке. [1]
Испарение кристалла в вакуум требует затраты энергии для преодоления сил притяжения между ионами, действующих в кристаллической решетке. Энергия, необходимая для превращения кристалла в ионный пар, называется энергией решетки. Во многих случаях энергия решетки может быть рассчитана с удовлетворительной точностью или определена на основании экспериментальных данных. [2]
Испарение кристаллов льда в топливе при повышении его температуры возможно лишь при условии, если давление паров воды в воздушном пространстве емкости будет ниже давления насыщенных паров воды в топливе. В противном случае происходит конденсация водяных паров на поверхности топлива с образованием новых кристаллов льда. [3]
Поскольку испарение кристаллов характеризуется большим изменением чнтальпии и энтропии, чем испарение жидкостей, зависимость упругости пара от температуры для кристаллов более резко выражена, чем для жидкостей. Следовательно, кривые, выражающие эту зависимость для одного и того же вещества в кристаллическом и жидком состояниях ( рис. 13), обязательно пересекутся. [4]
Этот процесс вполне аналогичен испарению кристалла. [5]
VI обсуждаются теории роста и испарения кристаллов, причем в основном обсуждаются процессы в газовой фазе, затрагивается рост из жидкой фазы и растворение, для которых не имеется сколько-нибудь строгой теории. [6]
В действительности, однако, испарение кристалла должно сопровождаться хотя бы временным отклонением от идеально правильной кубической формы, рассмотренной выше. Оно приводит к тому, что процессы обоих типов протекают не равномерно, а более или менее резко выраженными рывками. Так, например, в случае испарения кристалла прежде всего должны срываться частицы, расположенные на вершинах, за ними должны следовать, как правило, частицы, образующие ребра. После этого процесс испарения может принять более или менее стационарный характер, распространяясь последовательно вдоль соседних параллельных рядов частиц на каждой ( ущербленной) грани. [7]
В действительности, однако, испарение кристалла должно сопровождаться хотя бы временным отклонением от идеально правильной кубической формы, рассмотренной выше. Оно приводит к тому, что процессы обоих типов протекают не равномерно, а более или менее резко выраженными рывками. Так, например, в случае испарения кристалла прежде всего должны срываться частицы, расположенные на вершинах, за ними должны следовать, как правило, частицы, образующие ребра. После этого процесс испарения может принять более или менее стационарный характер, распространяясь последовательно вдоль соседних параллельных рядов частиц на каждой ( ущербленной) грани. [8]
Из результатов этих экспериментов можно сделать вывод, что испарение кристаллов следует тем же законам, что и рост. В частности, величина а падает до нуля по мере приближения к точке насыщения. [9]
Простые на первый взгляд эксперименты по определению скоростей роста и испарения кристаллов, как функции давления и температуры на поверхности, на самом деле наталкиваются на значительные трудности, которые до сих пор не удалось еще полностью-преодолеть. [10]
Интересная работа была проведена Сирсом [ Sears, 1956Ы по испарению кристаллов паратолуидина. Кристаллы выращивались из пара и часто были настолько тонки, что имели однородную интерференционную окраску в проходящем поляризованном свете. [11]
Заметим, что процесс а-распада он рассматривает по аналогии с испарением кристалла каменной соли ( NaCl), продуктами сублимации которого в данном случае являются молекулы NaCl, отсутствующие в готовом виде в кристалле. Так и вылет а-частиц из ядер ие озна-чает, что они имелись в ядрах в готовом виде. [12]
Это обстоятельство явствует наиболее простым образом из того факта, что испарение кристалла заключается в последовательном удалении атомов с его поверхности и требует ( в среднем) энергии, равной половине энергии, необходимой для удаления одного атома изнутри решетки на бесконечное расстояние. [13]
Можно показать, что энергия связи в положении повторимого шага равна энергии испарения кристалла в целом. Когда к мономолекулярной ступени добавляется полный ряд молекул, начало нового ряда затруднено, поскольку первая молекула, которая должна быть добавлена, удерживается всего двумя связями. Наконец, когда мономолекулярный слой заполняется целиком, следующая присоединяющаяся к поверхности молекула будет удерживаться только одной связью. Поэтому начало нового слоя происходит с еще большей задержкой, чем начало нового ряда. Процесс зарождения нового слоя называется двумерным зародышеобразованием и заключается в одновременном присоединении некоторого числа молекул к небольшой группе соседних позиций. [14]
 |
Энергия активации диффузии атомов. [15] |
Страницы: 1 2 3