Граница - кристаллическое зерно
Cтраница 1
Граница кристаллического зерна - плоскостной дефект, который определяется наличием граничной области двух кристаллов, соприкасающихся под некоторым углом. [1]
Эти выделения происходят главным образом по границам кристаллических зерен, где образуются весьма топкие пленки или фильмы карбидной составляющей. Поскольку же никель более растворим в аустените, чем в феррите, эти участки беднеют также и в отношении никеля. В итоге по границам зерен создается чрезвычайная разнородность структурных элементов ( аустенит, феррит, карбиды), между которыми существует определенная разность потенциалов, при наличии электролита приводящая к образованию гальванических пар. Под действием последних происходит разрушение менее стойких обедненных хромом прослоек, располагающихся по границам зерен. То обстоятельство, что выделения карбидов ( особенно первоначальные) имеют формы высокоднсперсного размельчения, благоприятствует межкрпсталлитной коррозии: благодаря высокой степени размельчения образуется особенно большое количество гальванических пар, действие которых и создает собственно разрушение. [2]
Следует отметить, что сульфидные включения часто встречаются на границах кристаллических зерен, поэтому по границам зерен металла чаще всего обнаруживаются трещины. Интерес представляет не только общая загрязненность металла труб включениями разных типов, но и загрязненность границ кристаллических зерен металла. [3]
 |
Принципиальная схема компенсационного метода измерения электропроводности. [4] |
В обоих случаях мы не устраняем влияния переходных сопротивлений между границами отдельных кристаллических зерен, из которых обычно состоит измеряемый образец. Для того чтобы определить электропроводность самого вещества, необходимо либо изготовить его в виде монокристалла, либо же перейти к столь высоким частотам переменного напряжения, при которых емкостной ток в переходных слоях превышает ток проводимости. [5]
Существенным для электропроводности оказывается то обстоятельство, что на - границах кристаллических зерен может скапливаться основная часть примесей поликристаллического материала. В металлах такие загрязненные прослойки, если они имеют достаточную толщину, увеличивают электрическое сопротивление образца. В полупроводниках с малой проводимостью наличие таких переходных слоев с повышенной концентрацией примесей может в некоторых случаях приводить к тому, что значительная часть тока будет течь не сквозь монокристаллические зерна основного вещества, а по поверхности зерен, имеющих повышенную проводимость примесной природы. В других случаях, когда такие переходные слои имеют повышенное сопротивление, поликристалл имеет меньшую проводимость, чем само вещество. [6]
Более неприятен в большинстве случаев так называемый структурный шум, вызываемый многократным рассеянием на границах кристаллических зерен или мелких включений. Однако уже при небольшом перемещении искателя эти отражения быстро изменяют свое положение и амплитуду. При записи со сканированием ( развертка типа В или С) истинный эхо-импульс даже при приблизительно одинаковой высоте еще может быть достаточно четко выявлен как таковой. [7]
 |
Дислокационные модели Зинера-Стро - Петча ( а и Коттрел. [8] |
Зарождение трещин по этому механизму происходит в результате заблокирования краевых дислокаций у препятствий, подобных границам кристаллических зерен, и создания высокой концентрации растягивающих напряжений в головных участках заблокированных полос скольжения. [9]
Полученные данные еще раз показывают, что при длительной эксплуатации газопроводов в результате усталости и деформационного старения на границах кристаллических зерен, окрестностях дефектов происходят накопление микропластических повреждений и увеличение внутренней энергии. Создаются условия к повышению склонности металла труб к замедленному разрушению. [10]
Причины тепловой хрупкости аустенитных сталей заключаются в структурных превращениях, связанных с распадом пересыщенного твердого раствора у п образованием вторичных фаз, располагающихся преимущественно по границам кристаллических зерен. [11]
При активации TiCl3 алюминийалкилами потенциально активные центры могут образоваться на различных участках поверхности кристалла [627]: 1) в местах с наиболее доступными ионами титана ( вдоль границ слоев кристалла, границ кристаллических зерен или вдоль линий дислокаций); 2) в местах нарушений кристаллической решетки ( в местах адсорбции ионов титана на поверхности, в точках поверхности с недостатком ионов хлора, в местах выхода на поверхность винтовых дислокаций); 3) на любом участке базисной поверхности. [12]
Дислокационное строение произвольных границ с большими углами разориентировки изучено недостаточно. Строение границ кристаллических зерен становится более сложным, если происходит скопление там дислокации, вакансии и примесных атомов. [13]
В реальных случаях границы кристаллических зерен, из которых состоят обычно полупроводники, каждое включение посторонних илп избыточных атомов или ионов, а также флуктуации плотности и электрического поля, возникающие в результате теплового движения элементов кристаллической решетки, - все это создает препятствия, изменяющие движение заряда. [14]
 |
Принципиальная схема компенсационного метода измерения электропроводности. [15] |
Страницы: 1 2