Граница - кристалл
Cтраница 4
 |
Десятибальная шкала коррозионной стойкости металлов. [46] |
Межкристаллитная ( интеркристаллитная) коррозия, распростра ияющаяся по границам кристаллов ( зерен) металла. [47]
Возможно, что присутствие непрерывной тонкой пленки расплава по границам кристаллов препятствует их чрезмерному росту и процесс укрупнения микроструктуры происходит в более равновесных условиях. На основании этих данных автор работы [201] сделал вывод, что оптимальными для интенсифицирования спекания являются такие микрокомпоненты, которые образуют с ферритом низкотемпературную эвтектику с достаточно высоким содержанием феррита. При этом весьма важно, чтобы микрокомпонент и феррит не образовывали бы друг с другом твердых растворов или промежуточных соединений, а разность температур плавления ir кипения чистого микрокомпонента была бы достаточно велика, чтобы появляющаяся жидкая фаза не испытывала заметного испарения при спекании. [48]
Появление трещин, возможно, связано с образованием на границах кристаллов аустенита легкоплавких эвтектик, в возникновении которых принимает участие титан. Соответствующее повышение содержания титана уже не вызывает трещин. [49]
Рекомбинация происходит в тонком слое этого кристалла, прилегающем к границе кристаллов. В результате рекомбинации отрицательный заряд ионов акцепторной примеси в этом слое не компенсируется теперь положительным зарядом дырок и весь слой заряжается отрицательно. В кристалле л-типа в результате рекомбинации электронов с перешедшими сюда из кристалла / з-типа дырками пограничный слой заряжается положительно потому, что положительный заряд ионов в донорной примеси не компенсируется отрицательным зарядом свободных электронов. В области контакта образуется двойной электрический слой объемных зарядов, а следовательно, контактное электрическое поле, напряженность которого направлена от Кристалла - типа к кристаллу 0-типа, Приконтактная область обладает большим электрическим сопротивлением, так как концентрация свободных носителей заряда в ней очень мала. Эта Приконтактная область и является р - - переходом. [50]
 |
Схема краевой дислокации. [51] |
Поверхностные дефекты, наблюдаемые на поверхности кристаллического тела или на границе кристаллов между собою, представляют собой комбинации большого числа различных точечных и линейных дефектов. [52]
 |
Схема краевой дислокации. [53] |
Поверхностные дефекты, наблюдаемые на поверхности кристаллического тела или на границе кристаллов между собою, представляют комбинации большого числа различных точечных и линейных дефектов. [54]
 |
Схема краевой дислокации. [55] |
Поверхностные дефекты, наблюдаемые на поверхности кристал-тического тела или на границе кристаллов между собою, представляют собой комбинации большого числа различных точечных i линейных дефектов. [56]
Страницы: 1 2 3 4