Испарение - летучая примесь
Cтраница 1
Испарение летучих примесей из объема тонкоизмельченной пробы всегда затянуто во времени по сравнению с испарением тех же количеств, расположенных на поверхности подложки. Это связано с сорбцион-ными процессами на большей общей поверхности зерен порошка. [1]
 |
Степень конденсации некоторых примесей ( в % при испарении.| Абсолютная чувствительность лгетода испарения ( в 10 - 9 г. [2] |
В методе испарения предусмотрено испарение летучих примесей из малолетучей основы, но очень часто приходится иметь дело с образцами, в которых основа обладает большей упругостью пара, чем примеси. Наиболее часто встречающийся случай такого рода - анализ водных растворов, содержащих малое количество примесей. [3]
При плавке в вакууме происходит дополнительная очистка за счет испарения летучих примесей. Расплавленные зоны обычно создаются высокочастотным индукционным нагревом. Обычно пользуются 6 - 10 проходами зоны, так как дальнейшее увеличение их числа мало сказывается на чистоте германия. [4]
В процессе выпаривания возможны потери вследствие: 1) механического увлечения мельчайших капелек жидкости с парами; 2) испарения летучих примесей; 3) адсорбции на стенках чашки. [5]
 |
Профиль жидкой пленки сквалана, ползущей вверх по гладкой вертикальной поверхности [ 22 J.| Зависимость длины пленки от времени. [6] |
На основе этих данных делается вывод, что причиной движения пленок против сил тяжести является градиент поверхностного натяжения, который возникает из-за испарения летучих примесей. Испарение приводит к тому, что на верхнем конце пленки концентрация примеси становится меньше, чем на нижнем, а поверхностное натяжение соответственно больше, так как поверхностное натяжение примеси меньше натяжения раствора. [7]
Спекание в вакууме по сравнению со спеканием в нейтральной среде в большинстве случаев начинается при более низких температурах и дает повышенную плотность изделий. При этом легче проходит дегазация изделий и испарение летучих примесей. Вакуум не только предохраняет изделия от взаимодействия с воздухом, но и способствует частичному восстановлению оксидов в результате их взаимодействия с присутствующим в порошках углеродом. [8]
Методы очистки могут быть физическими либо химическими. Физические методы включают дистилляцию, сублимацию, испарение летучих примесей, рекристаллизацию из расплава, фракционную кристаллизацию, электролиз жидкостей или твердых веществ, жидкостную экстракцию, хроматографию, ионный обмен. Все остальные методы полезны в тех случаях, когда зонная плавка неэффективна, или же они используются в сочетании с методом зонной плавки. Эта область открывает простор для проявления изобретательности, здесь можно применить также такие современные методы, как ионный обмен и хроматография, не получившие пока широкого распространения в этой области. Например, проблема получения сверхчистого никеля с соотношением Ni: Fe или №: Go, равным 10е: 1, давно ждала своего решения. Вследствие сходства физико-химических свойств всех трех металлов зонная плавка была неэффективной, хотя этим методом удается хорошо очистить никель от всех других примесей. При такой концентрации железо и кобальт препятствуют исследованию энергетических зон никеля по причинам, аналогичным указанным в разд. Однако в аналитической химии развиты методы ионообменного разделения железа, кобальта и никеля. Если железо и кобальт отделить от никеля этим способом в водном растворе соли, а затем никель электролитически осадить и подвергнуть зонной плавке, с тем чтобы отделить от других элементов, то можно получить металл высокой степени чистоты с содержанием примесей железа и кобальта в десять - сто раз меньшим, чем при любых других доступных методах очистки. [9]
 |
Включения теллурида. индия InTe в сильно легированном примесью теллура монокристалла фосфида индия ( а и капли галлия в нелегированном монокристалле арсенида галлия ( б. Х200. [10] |
Предотвращение образования примесных субструктур достигается в первую очередь устранением условий, способствующих переходу гладкого фронта кристаллизации в ячеистый: применение в процессе роста монокристалла малых скоростей кристаллизации, ограничение концентрации примеси в расплаве и его интенсивное перемешивание. При кристаллизации расплавов полупроводниковых соединений к ним добавляются меры по предотвращению испарения летучей примеси из расплава и сохранению его етехиометри-ческого состава. [11]
 |
Давяениеуаара бериллия. [12] |
На рис. 16 графически выражена зависимость IgP от 1 / 7 для пяти серий опытов. Данные первой серии опытов по нагреванию образца в том виде, как он был получен, представлены в верхней правой части рисунка и отражают испарение летучих примесей, имевшихся в образце. Соответствующие точки хорошо укладываются на прямую линию. [13]
Зонную очистку поликристаллического кремния ( см. рис. 3.3, позиция 21) проводят методом бестигельной зонной плавки с индуктором, диаметр которого больше диаметра стержня, составляющего - в этом случае 30 - 40 мм. Процесс проводят в вакууме, позволяющем, помимо кристаллизационной очистки кремния от нелетучих акцепторов, существенно очистить его от летучих доноров. Такая очистка является в основном результатом испарения летучих примесей. [14]
Страницы: 1