Cтраница 5
По мере перемещения от границ перехода концентрация избыточных неосновных носителей непрерывно падает ( рис. 8.15 6), вследствие чего уменьшается и величина тока, обусловленная диффузией их в глубь полупроводника. Одновременно с этим увеличивается ток, вызванный перемещением к переходу основных носителей заряда. На расстоянии порядка нескольких диффузионных длин избыточные неосновные носители полностью рекомбинируют и весь ток / цр, текущий в полупроводнике, вызывается перемещением основных носителей под действием внешнего поля. [61]
Таким образом, вблизи границ перехода появляются градиенты концентраций неосновных яосителей и возникает их диффузионное двюкение из толщи полупроводниковых областей к границам перехода. [62]