Испарение - расплав
Cтраница 3
Испарение в вакууме является одним из наиболее распространенных способов получения тонких полупроводниковых слоев. Для изготовления слоев сложного состава из одного испарителя используется испарение бинарных расплавов или сублимация механических смесей. В данной работе рассчитаны теоретически и исследованы экспериментально некоторые закономерности формирования тонких полупроводниковых слоев, получаемых испарением расплавов и сублимацией смесей. [31]
Тигель расположен в молибденовой трубе и не контактирует с засыпаемым оксидом иттрия. Малая ( 0 3 - 0 5 мм) толщина трубы делает ее полупрозрачной для высокочастотного электромагнитного поля и не затрудняет нагрев тигля. В то же время молибденовая труба служит дополнительным тепловым экраном, так как разогревается до высокой температуры. Продукты испарения расплава А12О3 не доходят до теплоизолирующей засыпки из УгОз, а конденсируются на трубе. [32]
Вакуум используется для химической очистки расплава от растворенных газов, посторонних примесей, обладающих высокой упругостью пара, и продуктов термической диссоциации. Глубина вакуума определяется величиной упругости пара кристаллизуемого вещества в расплавленном состоянии. Наиболее часто используется вакуум порядка 5 10 - - 5 тор. С целью снижения интенсивности испарения расплава применяется нейтральная атмосфера ( гелий, аргон, азот), поскольку для этих газов разработаны достаточно эффективные способы химической очистки. Восстановительная атмосфера используется для предотвращения окислительных реакций. Например, при выращивании монокристаллов флюорита CaF2 атмосфера фтористого водорода препятствует развитию реакций гидратации с образованием частиц типа СаНСОз, а выращивание металлических монокристаллов в атмосфере водорода позволяет получать бескислородные монокристаллы. Применение окислительной атмосферы, однако, ограничено интенсивным окислением материала контейнера и элементов нагревательной системы кристаллизационной установки. Поэтому обычно используется либо вакуум, либо нейтральная атмосфера. Компенсацию кислорода осуществляют путем отжига в кислородсодержащей атмосфере при температуре ( 1 / 2 - - 1 / 3) Тш, где Тпл - температура плавления. Эту операцию называют кислородным отжигом. Эти реакции сопровождают как процессы плавления, так и кристаллизации. [33]
 |
Объемная диаграмма состояния двухкоыпонентной системы. [34] |
Эта поверхность расположена наклонно, так как с изменением давления изменяется и температура полного затвердевания смеси. Мольный объем кристаллов обычно меньше мольного объема жидкости, а потому с повышением давления температура плавления увеличивается. Точно так же зависят от давления и температура начала испарения расплава ( или раствора) и температура, при которой вся система полностью переходит в пар. [35]
Страницы: 1 2 3