Граница - соприкосновение
Cтраница 1
Граница соприкосновения таких окислов с металлами вполне пригодна для синтеза жидких углеводородов, так как обеспечивается создание надлежащей межфазной границы. [1]
Граница соприкосновения двух полупроводников, один из которых имеет электронную, а другой дырчатую проводимость, называется электронно-дырочным или р-п переходом. Такой р-п переход может существовать в одном и том же кристалле полупроводника, если в нем с помощью соответствующих примесей будут обеспечены области различной пир проводимости. Электронно-дырочный переход используется для выпрямления переменного тока. [2]
Граница соприкосновения двух полупроводников с различными, п - иуз-типами проводимости ( стр. Он может осуществляться в одном и том же кристалле полупроводника, где с помощью соответствующих примесей ( стр. [3]
Границей соприкосновения трех сред является окружность, ограничивающая чечевицу. [4]
Ориентация границ соприкосновения блоков даже в одном кристалле может быть и параллельной, и перпендикулярной к подошве кристалла. [5]
Наличие границы соприкосновения жидких фаз сопровождается появлением диффузионного потенциала за счет перемещения ионов электролита из одного раствора в другой. Подобные элементы называются концентрационными элементами с переносом. [6]
Через границу соприкосновения полупроводников двух разных типов начнут диффундировать ( пробираться) их основные носители тока: в материал типа р - электроны, в материал типа га - дырки. У контактирующей поверхности в полупроводнике типа п возникает положительный, а в полупроводнике типа р отрицательный потенциал. [7]
На границе соприкосновения двух фаз при благоприятных условиях происходят физико-химические процессы взаимодействия. Следует при этом различать первичные процессы от вторичных. [8]
На границе соприкосновения слоев появляется ярко-красное кольцо, а через некоторое время и весь спиртовый раствор окрашивается в светло-красный цвет. [9]
На границе соприкосновения нескольких отдельных кристаллитов никогда не наблюдается правильное расположение атомов, соответствующее параметрам кристаллической решетки. Прежде всего это объясняется тем, что пространственная ориентация кристаллов различна. В результате этого вдоль всей границы их соприкосновения возникают несовершенства структуры, которые распространяются в глубь зерен на несколько атомных слоев. [10]
 |
Схема экспериментальной установки К. Вагнера. [11] |
На границе соприкосновения Ag2S с серой электроны превращают атомы серы, адсорбированные на поверхности Ag2S, в ионы, которые и занимают соответствующие места в анионной решетке. Ионы Ag, достигая границ раздела, занимают места вновь созданных дырок в катионной решетке. Граница раздела Ag2S / S по мере течения реакции перемещается в направлении серы. [12]
На границе соприкосновения металла с раствором электролита возникает скачок потенциала. [13]
На границе соприкосновения металла и жидкости возникает определенная разность потенциалов или скачок потенциала, так как двойной электрический слой можно уподобить плоскому конденсатору с определенной разностью потенциалов. [14]
На границе соприкосновения металла и раствора образуется двойной электрический слой, что приводит к возникновению некоторой разности потенциалов ( скачку потенциала) на поверхности-раздела металл - раствор. [15]
Страницы: 1 2 3 4