Частотная граница

Cтраница 1

Частотная граница такого обрезания при любом механизме уширения определяется обратным корреляционным временем к. Это справедливо и для формы линии в поле с флуктуирующей фазой, и для столкновительного уширения, когда корреляционное время имеет порядок длительности одного столкновения. [1]

Позиционер ПР-10. [2]

Частотная граница ОНР примерно 0 5 рад / сек. [3]

Частотная граница области нормальной работы ( при типовой нагрузке в виде входной камеры элемента УСЭППА) - примерно 20 рад / сек. [4]

Частотная граница ОНР данного прибора лежит около 20 рад / сек, что превосходит основную рабочую частоту большинства промышленных пневматических САР. [5]

Установку частотных границ гетеродина производят, используя вспомогательный приемник с выверенной шкалой настройки. [6]

Ламповый ЬС-генера-тор гармонических колебаний с индуктивной обратной связью ( К - напряженно питания, J. CM - напряжение смв.| Транзисторный LC-гене - в транзисторных LC-re-pti Tojibi. ператорах также использу. [7]

Верх, частотная граница связана с наличием у ламп паразитных межэлектрод-ных емкостей, индуктив-ностей вводов, конечным временем пролета электронов в дампе и др. факторами. [8]

Для расширения частотных границ транзисторных усилителей желательно постоянные времени сделать возможно меньше. [9]

Датчик перепада давлений типа ДМПК-4. [10]

Основная погрешность датчика ДМПК-4 не превышает 1 %, частотная граница области нормальной работы лежит около 3 0 рад / сек. [11]

Допустимые уровни звукового давления. [12]

Общие уровни производственного шума в пределах 30 - 130 дБ при частотных границах 504 - 8000 Гц изучают с помощью шумо-меров. [13]

В результате рассмотренных выше процессов удается получить меньшее значение коллекторной емкости и повысить частотную границу коэффициента усиления по напряжению. Практически р-область базы у полупроводниковых тетродов делается несколько более узкой, чем у плоскостных триодов и-р-и-типа. Это приводит к дальнейшему улучшению частотных характеристик благодаря уменьшению времени пролета электронов от эмиттера к коллектору. [14]

Благодаря использованию бесщелевых полупроводников ( теллур, селен, сплавы висмут-сурьма и др.) частотная граница применения полупроводниковых приборов может быть поднята до нескольких тысяч гигагерц, а питающие и управляющие напряжения уменьшены до единиц и десятков милливольт. [15]

Страницы: 1 2 3