Cтраница 1
![]() |
Вакуумная камера для изготовления электрофотографических пластин. [1] |
Испарение селена начинается уже при температуре 240 - 250 С. Оптимальное расстояние между поверхностью испарения и пластиной составляет 100 - 150 мм. [2]
Испарение селена происходит в виде смеси двух - и шестиатомных молекул, причем доля двухатомных молекул увеличивается при повышении температуры. Температурная зависимость давления паров селена представлена на рис. 10.11. Пары селена парамагнитны и окрашены в желтый цвет. [3]
При испарении селена в вакууме вначале образуется аморфная фаза, окончательная же структура зависит от трех факторов: толщины слоя, температуры подложки и скорости испарения. Способность аморфного селена быстро приобретать электрический заряд и очень медленно терять его, сохраняя в то же время чувствительность к различным видам излучений, привела к широкому применению его в ксерографии. [4]
Случайное вдыхание больших количеств испарений селена, оксида селена или селеноводорода может вызвать отек легких, спровоцированный местным раздражающим воздействием этих веществ на альвеолы; отек может проявиться лишь через 1 - 4 часа после контакта. [5]
Аморфный селен образуется при быстром охлаждении расплавленного селена или испарении селена в вакууме. При последующей термообработке аморфный селен переходит в ( гексагональный) кристаллический полупроводниковый селен, который и находит применение в выпрямителях, фотоэлементах и фотосопротивлениях. [6]
![]() |
Вакуумная камера для изготовления электрофотографических пластин. [7] |
Равномерность отложения слоя может быть значительно повышена, если вовремя испарения селена медленно вращать пластину вокруг вертикальной оси. [8]
Применительно к указанным материалам разработаны два способа нанесения слоев: испарение селена в вакууме на металлическую подложку и нанесение слоя окиси цинка, диспергированного в какой-либо смоле, на бумажную подложку. [9]
В табл. 20 приведены данные различных авторов и справочных изданий по теплотам испарения селена. [10]
Штрауманисом [361] были выращены монокристаллы селена в виде длинных игл с осью молекулярной спирали, параллельной оси иглы, при давлении паров 0 01 - 0 11 мм рт - ст., достигаемом испарением селена при 180 - 230 С - Температура плавления тригональных кристаллов селена 220 5 С - Наиболее совершенные кристаллы были выращены при температуре паров лишь немного выше указанной. Торцевые грани игл, вместо ожидаемых ( 001), были исключительно ( 1.11.) ( см. разд. При более низких температурах большинство игл являются полыми. Образование иглообразных кристаллов с полыми концами обусловлено быстрым ростом кристаллов вдоль спирали, который препятствует диффузии молекул селена на большое расстояние по поверхности ( 111), а также образованием ограниченного числа зародышей из новых молекул на боковых поверхностях. [11]
![]() |
Установка для изучения адсорбции селена. [12] |
Кварцевая трубка помещалась в печь таким образом, чтобы температура испарения селена или сплава была несколько ниже температуры адсорбции во избежание конденсации паров на адсорбенте, навеска которого не превышала 0 2 г. Количество адсорбированной серы рассчитывалось по привесу угля, предварительно доведенного до постоянного веса при температуре опыта и активности, дающей содержание в угле селена. [13]
Синтез ведут в трехсекционной печи. Одну секцию печи используют для испарения металла, другую - для испарения селена; средняя секция печи представляет собой реакционное пространство, где компоненты смешиваются, реагируют и конденсируются, образуя соединение в виде кристаллов. [14]
Небольшие примеси брома повышают проводимость селена. Поэтому практика ставит задачу определения изменения его содержания в процессе термической обработки или испарения селена в вакууме. [15]