Cтраница 1
Испарение твердых веществ при помощи импульсного лазера, атомизация в дуге и искре - методы, позволяющие обойти процедуру предварительного растворения проб. Возможность прямого анализа твердых проб может быть реализована также путем использования в качестве атомизатора в ААА охлаждаемого полого катода ( ОПК), где образование атомного пара происходит за счет катодного распыления в результате бомбардировки образца положительными ионами. Поскольку основным продуктом катодного распыления являются атомы, то создание атомного пара в ОПК за счет катодного распыления позволит, по-видимому, получить атомный пар, свободный от примесей молекул пробы, и тем самым приблизиться к 100 % - ной атомизации. Газовая температура плазмы в ОПК намного ниже, чем в самом низкотемпературном пламени, и составляет 300 - 400 К. Поэтому абсорбционные линии в ОПК должны быть более узкими, чем в атомизаторах с термическим испарением проб и в пламенах. Это означает, что при одном и том же количестве атомов в абсорбционных объемах сравниваемых атомизаторов атомизатор с ОПК позволит увеличить чувствительность и снизить предел обнаружения ААА. [2]
Испарение твердых веществ называют возгонкой или сублимацией. Испарение лежит в основе процессов нефтеперерабатывающей и газовой промышленности при разделении веществ ( например, ректификации, перегонке, нагреве сырья в трубчатых печах, регенерации растворителей, регазификации сжиженных газов), сушке, а также при получении пара в теплоэнергетике. [3]
Возгонкой называется испарение твердого вещества с последующей конденсацией пара непосредственно в твердое вещество, минуя жидкую фазу. Однако при наличии смолистых примесей даже слабое нагревание может привести к плавлению и тогда возгонка протекает по схеме: твердое вещество - жидкость-пар - твердое вещество. [4]
Во сколько раз увеличивается скорость испарения твердого вещества в вакуум при увеличении его температуры в п раз, если давление насыщенных паров при этом увеличивается в т раз. [5]
В своей работе Поляни и Вигнер [44] рассматривали испарение одноатомного твердого вещества и рассчитали вероятность того, что кинетическая энергия поверхностного атома, соответствующая его движению от поверхности, достаточна для преодоления нормальной энергии связи. [6]
Высокая температура источника света и образовавшегося газового облака при испарении твердого вещества в источнике света обеспечивает диссоциацию молекул до атомов и излучение света последними. Правильный выбор источника света в большинстве случаев имеет решающее значение. От источника света во многом зависит чувствительность и точность определения того или иного элемента. [7]
Возгонка состоит из двух стадий, одна из которых - испарение твердого вещества, а вторая - конденсация образовавшихся паров в твердое вещество. [8]
![]() |
Приспособление для возгонки.| Прибор для вакуум-возгонки. [9] |
Возгонка состоит из двух стадий, одна из которых - испарение твердого вещества, а вторая - конденсация образовавшихся паров в твердое вещество. [10]
Возгонка состоит из двух стадий, одна из которых - испарение твердого вещества, а вторая - конденсация образовавшихся паров в твердое вещество. [11]
Упругость паров йода равна 760 мм рт. ст. при температуре более низкой, чем температура плавления йода; йод можно превратить в жидкое состояние только под некоторым давлением. Испарение твердого вещества ( без образования жидкой фазы) называют возгонкой, или сублимацией. [12]
Упругость паров иода равна 760 мм рт. ст. при температуре более низкой, чем температура плавления иода; иод можно превратить в жидкое состояние только под некоторым давлением. Испарение твердого вещества ( без образования жидкой фазы) называют возгонкой, или сублимацией. [13]
Теория переходного состояния Герцфельда [196], в которой постулируется существование при сублимации промежуточного слоя, позволяет применить к сублимации понятие активного комплекса. Нейманом [139] постулируется, что при испарении твердых веществ сначала происходит переход молекул в адсорбированный слой и уже затем - в паровую фазу. [14]
Величина xi-z является также функцией скорости диффузии компонентов из глубины расплава к поверхности испарения. При испарении твердых веществ нестабильность процесса испарения вносит существенный вклад в значение концентрации испаряемого материала и его необходимо учитывать при расчетах состава осаждаемой пленки. [15]